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近紅外檢測應用實例
Vcsel芯片隱裂（cracks）、InGaAs瑕疵紅外無損檢測
Vcsel芯片氧化孔徑測量
法拉第激光隔離器,Faraday Isolator近紅外無損檢測
die chip 失效分析
紅外透射Wafer正反面定位標記重合誤差無損測量
硅基半導體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底無損紅外檢測
太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測
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近紅外檢測應用實例
§Vcsel芯片隱裂（cracks）、InGaAs瑕疵紅外無損檢測 §Vcsel芯片氧化孔徑測量 §法拉第激光隔離器,Faraday Isolator近紅外無損檢測 §die chip 失效分析 §紅外透射Wafer正反面定位標記重合誤差無損測量 §硅基半導體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底無損紅外檢測 §太陽能電池組件綜合缺陷紅外檢測
n晶圓觀察完畢后，依次進行如下操作：
1. 將物鏡旋轉至最小倍率(5X)。
2. 將晶圓從載物臺下取下。
3. 將載物臺調整至中心位置。
4. 關閉顯微鏡光源。
5. 關閉顯微鏡電源。
n另外，使用顯微鏡時需注意如下幾點：
1. 物鏡切換時，依次從5X調整至10X、20X、50X，最后至100X，禁止從5X直接切換為100X。
2. 顯微鏡使用完成，一定要關閉顯微鏡光源。
3. 其他未介紹的顯微鏡按鈕開關是設備調試時使用，正常情況下禁止使用。
