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GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能級雜質、電子有效質量小，能帶結構特殊，可作外延片。
1、半導體光電子器件結構生長
我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應用。
2、低溫砷化鎵
對于某些應用需要快速響應裝置，例如光學探測器、可飽和吸收器 或光電導天線。我們提供低溫外延生長器件，響應時間短至1 ps。
我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵。
低溫砷化鎵基片外延生長定制參數如下：
砷化鎵晶片直徑：2" 或4"
最大薄膜疊層厚度：5 μm
規格：
LT-GaAs-50.8：2"（50.8 mm）LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100：4"（100 mm）LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100：4"（100 mm）LT-InGaAs晶圓片
LT-GaA-100-C：具有定制金屬結構的4"（100 mm）LT-GaAs晶圓片
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