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用感應(yīng)耦合等離子體源進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(2或13兆赫茲)
感應(yīng)耦合等離子體
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
射頻驅(qū)動(dòng)基板電極
• 沉積溫度：20-100 oC
• 低壓（小于 10 毫托），為了的電學(xué)品質(zhì)
• 無(wú)NH3的工藝過(guò)程
• 速率：5-100 納米/分鐘
• 在6英寸晶片上良好的均勻性
• 擊穿場(chǎng)強(qiáng)大于4 ×106 伏/厘米
• 折射率可在1.77至2.54范圍內(nèi)調(diào)整
• 應(yīng)力小于100 兆帕
• 膜應(yīng)力可在25兆帕壓應(yīng)力至25兆帕張應(yīng)力范圍內(nèi)變化（無(wú)外加偏壓）
• 紅外透射譜無(wú)N-H鍵吸收峰
感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積 SiN
• 保形沉積
• 同一批次的均勻性公差在± 2 - 4 %
• 沉積速率一般為10-15 納米/分鐘，zui大100納米/分鐘
• 折射率典型值2.0，但可在1.8至2.5范圍內(nèi)調(diào)控
• 薄膜應(yīng)力在-1 GPa 至 +0.5 GPa范圍內(nèi)*可控
• 緩沖氫氟酸（5：1）腐蝕速率小于30 納米/分鐘
• 氫氧化鉀腐蝕速率小于0.5 nm/分鐘
• 針孔/顆粒密度小于0.1/平方厘米
無(wú)氨氣等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氮化硅
• 沉積溫度250-350 oC
• 沉積速率7-12 納米/分鐘
• 折射率 2.00
• 薄膜厚度變化（十字工作臺(tái)）小于± 3%
• 薄膜厚度變化（每次工藝過(guò)程之間）小于± 2%
• 折射率變化（十字工作臺(tái)）小于± 1%
• 折射率變化（每次工藝過(guò)程之間）小于± 1%
• 腐蝕速率（1：20 氫氟酸：去離子水）小于 20納米/分鐘*
• 混頻條件下，擊穿場(chǎng)強(qiáng)大于8.5 ×106 伏/厘米 應(yīng)力小于50 兆帕
• 適合于330oC在InP層上進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
• 甚至在低沉積溫度（大約100 oC）下也能產(chǎn)生出穩(wěn)定的薄膜性質(zhì)
• 采用可選的雙頻（高頻和低頻）技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)力的控制
* 在330 oC，更高的溫度工藝提供更低的緩沖氫氟酸腐蝕速率，但是不推薦InP基晶片使用
- PECVD
- ICP CVD
- 離子束
- 注釋
附加注釋：
1. 以上給出的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于高頻薄膜。
2. 低應(yīng)力值的測(cè)量精度高度依賴于以下條件：
1. 以上給出的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于高頻薄膜。
2. 低應(yīng)力值的測(cè)量精度高度依賴于以下條件：
- 薄膜沉積前后晶片曲率的測(cè)量精度
- 應(yīng)力測(cè)量所用的晶片的品質(zhì)和預(yù)應(yīng)力處理
- 要求薄膜厚度足夠厚（>5000Å）以便得到可精確測(cè)量的晶片曲率
3. 以上結(jié)果是在硅襯底上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)得到的。
4. 進(jìn)行下一次處理前，需要對(duì)處理室進(jìn)行清潔和調(diào)節(jié)，以獲得*的重復(fù)性。推薦的zui小調(diào)節(jié)厚度為2000-3000A。牛津儀器公司將依據(jù)客戶系統(tǒng)的應(yīng)用和目的，為其提供詳細(xì)的處理室清潔和調(diào)節(jié)流程。
5. 均勻性測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)定義：
| 晶片內(nèi)部均勻性測(cè)量如下圖所示5個(gè)點(diǎn)的數(shù)據(jù)： | 不同批次的均勻性（重復(fù)性）通過(guò)求取連續(xù)5個(gè)批次的晶片的平均值獲得。 |
 | 折射率均勻性的計(jì)算方法如下：  折射率均勻性的計(jì)算方法如下： |
本公司現(xiàn)貨產(chǎn)品
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本月*產(chǎn)品
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