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　　真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質量的鍍膜技術。系統結構緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質量的鍍膜處理。組件設計方式可方便地對不同優化條件下的各種應用進行切換。

 

　　真空鍍碳儀的使用步驟：

　　電控柜操作：

　　1、開水泵、氣源。

　　2、開總電源。

　　3、開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進入下一步操作。約需5分鐘。

　　4、開機械泵、預抽，開渦輪分子泵電源、并啟動，真空計開關換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。

　　5、觀察渦輪分子泵讀數到達250以后，關預抽，開前級泵和高真空閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以后才能打開電子槍電源。

 

　　操作：

　　1、總電源。

　　2、同時開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時開關，延時、電源及保護燈亮，三分鐘后延時及保護燈滅，若后門未關好或水流繼電器有故障，保護燈會常亮。

　　3、開高壓，高壓會達到10KV以上，調節束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉電流在1~1.7之間擺動。

 

　　關機順序：

　　1、關高真空表頭、關分子泵。

　　2、待分子泵顯示到50時，依次關高閥、前級、機械泵，這期間約需40分鐘。

　　3、到50以下時，再關維持泵。