由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)，對導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10^-5—10⁶Ω。

SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺二臺儀器構(gòu)成。

l            SB118型精密直流電壓電流源 （詳見該產(chǎn)品使用說明書）

直流電流源

a)       電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；

b)       量程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；

c)       電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。

直流電壓源

a)       電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；

b)       量程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；

c)       電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。

數(shù)字電壓表（4?LED）利用電壓源部分“取樣"端可對被測電壓進(jìn)行測試

a)       測量量程   20mV，200mV，2V，20V，200V

b)       zui高分辨力  可達(dá)1µV

c)       基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   （20±2?C）

l            TE120/2四探針樣品平臺（詳見該產(chǎn)品使用說明書）

為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。