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Optodiode的近紅外和紅光增強光電探測器
  • Optodiode的近紅外和紅光增強光電探測器
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貨物所在地:廣東深圳市

更新時間:2024-07-25 15:54:27

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Optodiode的近紅外和紅光增強光電探測器是小尺寸,可以減小占地面積。Optodiode近紅外和紅光增強光電二極管具有堅固的表面貼裝器件,適用于高溫操作、雨水和陽光感應應用。

Optodiode的近紅外和紅光增強光電探測器

Opto Diode近紅外和紅光增強光電探測器高靈敏度,小尺寸


Opto Diode的NXIR系列近紅外增強型光電二極管的設計是為了在630納米至1100納米的光譜范圍內實現優良性能。對于集成光子系統來說,減少占地面積的芯片產品是激光二極管背面監測的選擇。NXIR系列的最新產品具有堅固的表面貼裝器件(SMD)技術,適用于高溫操作、雨水和陽光感應應用。


NXIR-RF36光電二極管的特點

NXIR-RF36光電二極管是近紅外小尺寸光電二極管,光敏有效區域是0.6mmx0.6mm。NXIR-RF36光電二極管工作溫度是-40°C至+110°C,NXIR-RF36光電二極管符合RoHS和REACH標準,是大批量激光監測應用的理想選擇。

NXIR-RF36光電二極管存儲和工作溫度范圍-40°C至110°C,最高結點溫度110°C。NXIR-RF36光電二極管有效面積的典型值為0.36mm2,在850nm的波長下,靈敏度是0.65A/W,在Vr=3V時,暗電流的典型值是0.05nA,最大值是0.3nA。在VR=10mV時,分流電阻最小值是200MΩ,典型值是1000MΩ。在IR=10µA時反向擊穿電壓為25V,在VR=0V的測試條件上,電容的最大值為8pF。VR=10V時上升時間典型值為8納秒,最大值為15納秒。


NXIR-RF100光電二極管的特點

NXIR-RF100光電二極管是Optodiode近紅外增強型光電探測器,光敏有效區域是1mmx1mm。NXIR-RF100光電二極管有高靈敏度,?=850nm靈敏度是0.62A/W,?=1064nm靈敏度是0.35A/W。NXIR-RF100光電二極管工作溫度是-40°C至+125°C。NXIR-RF100光電二極管符合RoHS和REACH標準,是激光監測應用的理想選擇。

存儲和工作溫度范圍-40°C~125°C,最高結點溫度是125°C。NXIR-RF100光電二極管有效面積的典型值為1mm2,在850nm的波長下,靈敏度是0.62A/W,在1064nm下,響應速度是0.35A/W。光譜響應范圍λ為320nm~1100nm。在Vr=3V時,暗電流的典型值是0.1nA,最大值是0.75nA。在VR=10mV時,分流電阻最小值是200MΩ,典型值是500MΩ。在IR=10µA時反向擊穿電壓為50V,在VR=0V的測試條件上,電容的最大值為3pF。VR=5V時上升時間典型值為50納秒。


NXIR-RF74光電二極管的特點

NXIR-RF74光電二極管是近紅外小尺寸光電二極管,光敏有效區域是0.86mmx0.86mm。NXIR-RF74光電二極管有高靈敏度,?=850nm靈敏度是0.65A/W。NXIR-RF74光電二極管工作溫度是-40°C至+110°C。NXIR-RF74光電二極管符合RoHS和REACH標準,是大批量激光監測應用的理想選擇。

NXIR-RF74光電二極管有效面積的典型值為0.74mm2,當波長為850nm時,靈敏度是0.65A/W。在Vr=3V時,暗電流的典型值是0.1nA,最大值是0.75nA。在VR=10mV測試條件下,分流電阻的最小值是200MΩ,典型值是800 MΩ。IR=10µA,反向擊穿電壓最小值為25V,在VR=0V的測試條件上,電容的最大值為8pF。VR=10V時上升時間典型值為8納秒,最大值為15納秒。


Optodiode近紅外和紅光增強光電二極管是高靈敏度光電二極管,在400nm-1100nm時靈敏度是0.35A/W-0.65A/WOpto Diode近紅外和紅光增強光電探測器有效面積最大是1mm2,是小尺寸光電二極管。Optodiode近紅外增強型光電探測器符合RoHSREACH標準,是大批量激光監測應用的理想選擇。近紅外和紅光增強光電探測器工作溫度范圍寬,可以在-40°C~125°C左右工作。


Optodiode的近紅外和紅光增強光電探測器


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