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美國(guó)Optodiode近紅外發(fā)光二極管
  • 美國(guó)Optodiode近紅外發(fā)光二極管
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更新時(shí)間:2024-07-25 15:55:15

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美國(guó)Optodiode近紅外發(fā)光二極管有高耐輻射性,高光輸出的特點(diǎn),有窄角、中角、廣角三種類型,窄角適合長(zhǎng)距離應(yīng)用,中角可以實(shí)現(xiàn)最佳覆蓋范圍/功率密度,廣角覆蓋大面積。

美國(guó)Optodiode近紅外發(fā)光二極管

Optodiode近紅外發(fā)光二極管,高光輸出,耐輻射性高


Optodiode近紅外LED中OD-800F型號(hào)特征

• 高光輸出、810nm峰值發(fā)射、密封金屬TO-46封裝、窄角度,

適合長(zhǎng)距離應(yīng)用、耐輻射性高、優(yōu)異的功率衰減特性、快速響應(yīng)、提供 MIL-S-19500 篩查、無(wú)內(nèi)部涂層

在IF=100mA時(shí),總功率輸出最小值是1.5mW,典型值是3mW。IF=50mA,峰值發(fā)射波長(zhǎng)810nm,光譜帶寬在50%典型值是50nm,半強(qiáng)度光束角是8°。IF=100mA,正向電壓典型值1.45V,最大值1.8V。IR=10μA,反向擊穿電壓最小值是3V,典型值4V。VR=0V,電容典型值是150pF。上升與下降時(shí)間都是60納秒。

參數(shù)單位:功耗180mW,連續(xù)正向電流100mA,峰值正向電流(10μs,150Hz)3A,反向電壓3V,引線焊接溫度240°C。

存儲(chǔ)和工作溫度范圍-65°C至150°C,最高結(jié)溫150°C,熱阻1典型值400°C/W,熱阻2典型值135°C/W。

OD-800L、OD-800W與OD-800F型號(hào)參數(shù)差不多,除了角度不一樣,IF=50mA,OD-800L半強(qiáng)度光束角是35°,OD-800W半強(qiáng)度光束角是80°。


近紅外發(fā)光二極管(IRLED)采用寬、中或窄輸出模式制造,采用堅(jiān)固的氣密密封封裝。金屬外殼是最佳散熱的理想選擇,工作溫度范圍為 -65°C +150°C。光電二極管的IRLED提供廣泛的線性功率輸出,并提供高速等級(jí)。

Optodiode近紅外發(fā)光二極管有窄角、中角、廣角三種類型,窄角近紅外發(fā)光二極管半強(qiáng)度光束角是8°,中角近紅外發(fā)光二極管半強(qiáng)度光束角是35°、廣角半強(qiáng)度光束角是80°,不同角度的近紅外發(fā)光二極管輸出功率不一樣。

Optodiode近紅外LED采用TO-46密封封裝,具有高光輸出,耐輻射性高等特點(diǎn)。窄角近紅外發(fā)光二極管適合長(zhǎng)距離應(yīng)用,中角近紅外發(fā)光二極管發(fā)射角中等可以實(shí)現(xiàn)最佳覆蓋范圍/功率密度,廣角近紅外發(fā)光二極管發(fā)射角度廣,覆蓋大面積。Optodiode近紅外發(fā)光二極管有810nm850nm兩種波長(zhǎng)。

窄角、中角、廣角三種類型近紅外發(fā)光二極管的區(qū)別

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管工作溫度-40°C-100°C,視角8°,波長(zhǎng)850nm,電流直流最大值100mA,正向電壓典型值1.6V。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管具有高光輸出、850nm峰值發(fā)射、密封TO-46封裝、窄角近紅外發(fā)光二極管適合長(zhǎng)距離應(yīng)用等特點(diǎn)。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管在IF=100mA時(shí),總功率輸出最小值是22mW,典型值是30mW。IF=20mA,峰值發(fā)射波長(zhǎng)850nm,光譜帶寬在50%典型值是40nm,半強(qiáng)度光束角是8°。IF=100mA,正向電壓典型值1.6V,最大值2V。IR=10μA,反向擊穿電壓最小值是5V,典型值30V。IFP=50mA,上升與下降時(shí)間都是20納秒。

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管參數(shù)單位:功耗200mW,連續(xù)正向電流100mA,峰值正向電流(10μs,200Hz300mA,反向電壓5V,引線焊接溫度260°C

OD-850F窄角近紅外發(fā)光二極管存儲(chǔ)和工作溫度范圍-40°C100°C,最高結(jié)溫100°C,熱阻1典型值400°C/W,熱阻2典型值135°C/W。

OD-850L中角、OD-850W廣角除了輸出功率和角度與OD-850F窄角不一樣,其他參數(shù)都一樣。在IF=100mA時(shí),OD-850L總功率輸出最小值是25mW,典型值是35mW,半強(qiáng)度光束角是35°。在IF=100mA時(shí),OD-850W總功率輸出最小值是30mW,典型值是40mW,半強(qiáng)度光束角最小值是70°典型值是80°。

OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT除了輸出功率、角度和工作溫度與OD-850F不一樣,其他參數(shù)都一樣。OD-850FHT總功率輸出最小值是17mW,典型值是22mW,半強(qiáng)度光束角是8°;OD-850WHT輸出功率典型值是26mW,半強(qiáng)度光束角最小值是70°典型值是80°;OD-850LHT總功率輸出最小值是18mW,典型值是22mW,半強(qiáng)度光束角是35°。OD-850FHTOD-850WHTOD-850LHT存儲(chǔ)和工作溫度范圍-65°C150°C,最高結(jié)溫150°C



美國(guó)Optodiode近紅外發(fā)光二極管


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