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美國Optodiode近紅外發光二極管

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所  在  地深圳市

更新時間:2023-06-29 09:22:46瀏覽次數:392次

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應用領域 綜合
美國Optodiode近紅外發光二極管有高耐輻射性,高光輸出的特點,有窄角、中角、廣角三種類型,窄角適合長距離應用,中角可以實現最佳覆蓋范圍/功率密度,廣角覆蓋大面積。

美國Optodiode近紅外發光二極管

Optodiode近紅外發光二極管高光輸出,耐輻射性高


Optodiode近紅外LED中OD-800F型號特征

• 高光輸出、810nm峰值發射、密封金屬TO-46封裝、窄角度,

適合長距離應用、耐輻射性高、優異的功率衰減特性、快速響應、提供 MIL-S-19500 篩查、無內部涂層

在IF=100mA時,總功率輸出最小值是1.5mW,典型值是3mW。IF=50mA,峰值發射波長810nm,光譜帶寬在50%典型值是50nm,半強度光束角是8°。IF=100mA,正向電壓典型值1.45V,最大值1.8V。IR=10μA,反向擊穿電壓最小值是3V,典型值4V。VR=0V,電容典型值是150pF。上升與下降時間都是60納秒。

參數單位:功耗180mW,連續正向電流100mA,峰值正向電流(10μs,150Hz)3A,反向電壓3V,引線焊接溫度240°C。

存儲和工作溫度范圍-65°C至150°C,最高結溫150°C,熱阻1典型值400°C/W,熱阻2典型值135°C/W。

OD-800L、OD-800W與OD-800F型號參數差不多,除了角度不一樣,IF=50mA,OD-800L半強度光束角是35°,OD-800W半強度光束角是80°。


近紅外發光二極管(IRLED)采用寬、中或窄輸出模式制造,采用堅固的氣密密封封裝。金屬外殼是最佳散熱的理想選擇,工作溫度范圍為 -65° +150°C。光電二極管的IRLED提供廣泛的線性功率輸出,并提供高速等級。

Optodiode近紅外發光二極管有窄角、中角、廣角三種類型,窄角近紅外發光二極管半強度光束角是8°,中角近紅外發光二極管半強度光束角是35°、廣角半強度光束角是80°,不同角度的近紅外發光二極管輸出功率不一樣。

Optodiode近紅外LED采用TO-46密封封裝,具有高光輸出,耐輻射性高等特點。窄角近紅外發光二極管適合長距離應用,中角近紅外發光二極管發射角中等可以實現最佳覆蓋范圍/功率密度,廣角近紅外發光二極管發射角度廣,覆蓋大面積。Optodiode近紅外發光二極管有810nm850nm兩種波長。

窄角、中角、廣角三種類型近紅外發光二極管的區別

OD-850F窄角近紅外發光二極管工作溫度-40°C-100°C,視角8°,波長850nm,電流直流最大值100mA,正向電壓典型值1.6V

OD-850F窄角近紅外發光二極管具有高光輸出、850nm峰值發射、密封TO-46封裝、窄角近紅外發光二極管適合長距離應用等特點。

OD-850F窄角近紅外發光二極管在IF=100mA時,總功率輸出最小值是22mW,典型值是30mWIF=20mA,峰值發射波長850nm,光譜帶寬在50%典型值是40nm,半強度光束角是8°。IF=100mA,正向電壓典型值1.6V,最大值2VIR=10μA,反向擊穿電壓最小值是5V,典型值30VIFP=50mA,上升與下降時間都是20納秒。

OD-850F窄角近紅外發光二極管參數單位:功耗200mW,連續正向電流100mA,峰值正向電流(10μs200Hz300mA,反向電壓5V,引線焊接溫度260°C

OD-850F窄角近紅外發光二極管存儲和工作溫度范圍-40°C100°C,最高結溫100°C,熱阻1典型值400°C/W,熱阻2典型值135°C/W

OD-850L中角、OD-850W廣角除了輸出功率和角度與OD-850F窄角不一樣,其他參數都一樣。在IF=100mA時,OD-850L總功率輸出最小值是25mW,典型值是35mW,半強度光束角是35°。在IF=100mA時,OD-850W總功率輸出最小值是30mW,典型值是40mW,半強度光束角最小值是70°典型值是80°。

OD-850FHT、OD-850WHTOD-850LHT除了輸出功率、角度和工作溫度與OD-850F不一樣,其他參數都一樣。OD-850FHT總功率輸出最小值是17mW,典型值是22mW,半強度光束角是8°;OD-850WHT輸出功率典型值是26mW,半強度光束角最小值是70°典型值是80°;OD-850LHT總功率輸出最小值是18mW,典型值是22mW,半強度光束角是35°。OD-850FHTOD-850WHTOD-850LHT存儲和工作溫度范圍-65°C150°C,最高結溫150°C

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美國Optodiode近紅外發光二極管

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