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集成電路的發展歷程
自本世紀初，真空電子管發明后，至今電子器件至今已經歷了五代的發展過程。集成電路（IC）的誕生，使電子技術出現了劃時代的革命，它是現代電子技術和計算機發展的基礎，也是微電子技術發展的標志。
集成電路規模的劃分，目前在上尚無嚴格、確切的定義。在發展過程中，人們逐漸形成一種似乎比較一致的劃分意見，按芯片上所含邏輯門電路或晶體管的個數作為劃分標志。一般人們將單塊芯片上包含100個元件或10個邏輯門以下的集成電路稱為小規模集成電路；而將元件數在100個以上、1000個以下，或邏輯門在10個以上、100個以下的稱為中規模集成電路；門數有100─100000個元件的稱大規模集成電路（LSI），門數超過5000個，或元件數高于10萬個的則稱超大規模集成電路（VLSI）。
電路集成化的zui初設想是在晶體管興起不久的1952年，由英國科學家達默提出的。他設想按照電子線路的要求，將一個線路所包含的晶體管和二極管，以及其他必要的元件統統集合在一塊半導體晶片上，從而構成一塊具有預定功能的電路。
1958年，美國德克薩斯儀器公司的一位工程師基爾比，按照上述設想，制成了世界上*塊集成電路。他使用一根半導體單晶硅制成了相移振蕩器，這個振蕩器所包含的4個元器件已不需要用金屬導線相連，硅棒本身既用為電子元器件的材料，又構成使它們之間相連的通路。
同年，另一家美國的仙童電子公司也宣稱研制成功集成電路。由該公司赫爾尼等人所發明的一整套制作微型晶體管的新工藝──“平面工藝“被移用到集成電路的制作中，使集成電路很快從實驗室研制試驗階段轉入工業生產階段。
1959年，德克薩斯儀器公司首先宣布建成世界上*條集成電路生產線。1962年，世界上出現了*塊集成電路正式商品。雖然這預示著第三代電子器件已正式登上電子學舞臺。
不久，世界范圍內掀起了集成電路的研制熱潮。早期的典型硅芯片為1.25毫米見方。60年代初，上出現的集成電路產品，每個硅片上的元件數在100個左右；1967所已達到1000個晶體管，這標志著大規模集成階段的開端；到1976年，發展到一個芯片上可集成1萬多個晶體管；進入80年代以來，一塊硅片上有幾萬個晶體管的大規模集成電路已經很普遍了，并且正在超大規模集成電路發展。如今，已出現屬于第五代的產品，在不到50平方毫米的硅芯片上集成的晶體管數激增到200萬只以上