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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
閱讀：619 發布時間：2018-9-7
專家估計，市場每年對逆變器的需求大約增長30%；消費者需要更便宜的電子設備，降低產品成本的一個重要途徑就是提高太陽能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產品設計者應對他們所面臨的設計具有更高電路效率和性能的產品的挑戰。這類器件也稱為電導調制場效應晶體管（CMFET），是MOSFET的近親，主要在各種應用中用作電源開關。這些電壓控制的器件在市場上隨處可見，在開關電源設備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效，降低產品成本。
一些供應商的產品及其廣泛應用
例如，安森美半導體公司提供了將近20種不同型號的IGBT，用于電子汽車點火、燃料加注系統和其他一些需要控制高電流和高電壓開關的應用。該公司的產品特點是廣泛采用集成ESD和過電壓保護的單片集成電路。英飛凌公司針對高頻電源開關應用提供了幾款高速IGBT產品。該公司的TrenchStop IGBT 具有較低的飽和電壓、較高的溫度穩定性和很低的傳導損耗，適用于電機驅動應用。這類晶體管的動態開關特性降低了關斷過程的能量損耗，減少了電磁干擾。ST Microelectronics公司制造的條狀PowerMESH IGBT 適用于電機驅動、電子汽車點火、遮光器、高頻電子鎮流器、焊接設備、不間斷電源和家用電器等領域。這些300～1200V的晶體管具有很低的壓降，適用于更的產品設計。該公司的V系列IGBT瞄準的是快速、高頻的應用，提供了附帶和不帶續流二極管兩種配置。