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發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED，但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED，而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途…… 

發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED，但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED，而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途，以及與熒光體組合發(fā)出可視光的LED等用途。例如將紅色、綠色和藍色熒光體與紫外LED組合，可獲得白色LED。 

紫外LED主要采用GaN類半導(dǎo)體。產(chǎn)品方面，日亞化學(xué)工業(yè)上市了發(fā)光中心波長從365nm～385nm不等的品種，Nitride Semiconductor上市了發(fā)光中心波長為355nm～375nm不等的品種。

 
日亞化學(xué)工業(yè)2002年發(fā)布的紫外LED 
LED芯片的尺寸為1mm×1mm，為普通LED的10倍，而且收納于具有金屬封裝內(nèi)。（圖：日亞化學(xué)工業(yè)）

波長不足300nm的深紫外LED的開發(fā)活動也很活躍。2008年理化學(xué)研究所和松下電工曾公布，采用GaN類半導(dǎo)體的InAlGaN開發(fā)出了發(fā)光中心波長為282nm，光輸出功率為10mW的深紫外LED。波長更短的深紫外LED方面，NTT物性科學(xué)基礎(chǔ)研究所采用AlN材料開發(fā)出了發(fā)光中心波長為210nm的深紫外LED