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薄膜方塊電阻測試儀主來測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層、導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。它由電氣測量部份（簡稱：主機(jī)）、測試架、四探針頭及測量軟件組成

薄膜方塊電阻測試儀
型號(hào)：NXTR-1A/1B

貨號(hào)：ZH8860

產(chǎn)品簡介:
薄膜方塊電阻測試儀主來測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層、導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。它由電氣測量部份（簡稱：主機(jī)）、測試架、四探針頭及測量軟件組成
使用范圍
適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè)
產(chǎn)品特點(diǎn)
可測方塊電阻：適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅
適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)多晶硅料的企業(yè)
適用于物理提生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè)
測試量程大，電阻率測試儀
主機(jī)配置了“小游移四探針頭”了一起數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性
儀器消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響，因此測試精度提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
特的設(shè)計(jì)能消除測量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差，   測量的高精度和寬的量程范圍
雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測量，操作簡便
具有的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能
測量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)換向測量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分變化率等
四探針頭采用進(jìn)口紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測量重復(fù)性提高
采用進(jìn)口元器件，留有大的系數(shù)，提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩(wěn)定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，測試結(jié)果的準(zhǔn)確性
具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻設(shè)備的性能
測量范圍
10-5 ------1.9*105 Ω?cm
10-4------1.9*104 Ω?cm
可測硅棒尺寸： zui大長度300mm；直徑20mm（按用戶要求改）
輸出電流：DC0.001-100mA 五檔連續(xù)可調(diào)   測量范圍：0-199.99mV
靈敏度： 10μA
輸入阻抗：1000ΩM
電阻測量誤差：檔均低于±0.05%
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用環(huán)境：溫度：23±2℃   相對(duì)溫度：≤65%