制造商：NeuroNexus Technologies, Inc. USA

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密西根大學(xué)經(jīng)過不懈的努力，制造了可以說(shuō)至今*的微電極，因?yàn)樵陔姌O上集成了電子線路，靈活的帶狀導(dǎo)線和微流體通道。在選擇的區(qū)域可做到15微米而且可形成任意的二維平面形狀，電極使用二氧化硅和四氮化三硅作為鈍化和絕緣層；制造了許多二維，甚至三維的微電極，包括用做信號(hào)記錄和刺激的集成電路，也有很多成功的活體實(shí)驗(yàn)報(bào)告，密西根電極開始作為神經(jīng)信號(hào)記錄，但一直也被作為神經(jīng)刺激來(lái)用。我們?yōu)槟峁㎞euroNexus全系列的電極和產(chǎn)品，滿足不同的實(shí)驗(yàn)需求。

3.1皮層區(qū)域電極（Shallow Brain）

大部分A-Style電極/電極封裝是適合急性和慢性實(shí)驗(yàn)。

電極可選參數(shù)

 3.2深部腦區(qū)電極（Deep Brain）

部分A-Style電極(設(shè)計(jì)10毫米或更長(zhǎng)的距離)、

AXIAL、rDBSA適合深部腦。

    AXIAL電極可選參數(shù)                  rDBSA電極可選參數(shù)

3.3腦表面電極（Brain Surface）

E-Style電極設(shè)計(jì)放置在大腦表面進(jìn)行ECoG信號(hào)的采集。

3.4三維陣列電極（3D Array）

A-Style電極可以建成了三維陣列，電極間距為zui少200個(gè)μm。

 3.5 光基因電極（Optoelectrode）

A-Style電極與O-Series電極封裝可以實(shí)現(xiàn)并行光學(xué)刺激和多通道的電極記錄，適合于optogenetics研究。

電極可選參數(shù)

3.6給藥電極（Drug Delivery）

 A-Style電極與D-Series電極封裝，可以實(shí)現(xiàn)藥物注射和多通道的電極記錄同時(shí)進(jìn)行，適合于觀察藥物對(duì)神經(jīng)元電生理活動(dòng)的影響。

3.7核磁共振兼容電極（MR Compatible）

 所有的電極都可以采用MR-Series封裝，從而實(shí)現(xiàn)在進(jìn)行核磁共振成像的同時(shí)檢測(cè)神經(jīng)信號(hào)的變化。

3.8體外切片電極（In vitro / Slice）

 A-Style電極與A-Series或IV-Series電極封裝可用于體外實(shí)驗(yàn)。E-Style電極可以為預(yù)期實(shí)驗(yàn)進(jìn)行客制化設(shè)計(jì)；請(qǐng)以獲取更多信息。