1. 光刻膠的去除

除微波等離子去膠機(jī)(兼容SU-8及PI干法去膠)微波等離子清洗相比其他技術(shù)形式的等離子清洗方式，有著一致性高，對(duì)產(chǎn)品無害，清洗*的優(yōu)點(diǎn)。在光刻膠的去除應(yīng)用中，微波等離子清洗可以相當(dāng)容易完成，而且完成效果很好。

2. SU-8的去除/ 犧牲層的去除

Alpha Plasma Asia微波等離子清洗設(shè)備可以輕松完成對(duì)SU-8光刻膠的安全清除。有研究所實(shí)驗(yàn)室以及生產(chǎn)應(yīng)用的大量案例證明微波等離子清除SU-8和犧牲層是非常成功的。微波等離子去膠機(jī)(兼容SU-8及PI干法去膠)

3.高分子聚合物的去除

只需要通過Alpha Plasma Asia微波等離子清洗設(shè)備的簡(jiǎn)單處理，就能通過微波產(chǎn)生的自由基將高分子聚合物*清除干凈，包括在很深且狹窄尖銳的溝槽里的聚合物。達(dá)到其他清理方式很難完成的效果。

4.等離子去除殘膠/去浮渣/打底膜

我們都知道一個(gè)物理常識(shí)，如果孔洞轉(zhuǎn)角尖銳，金屬液體是很難流進(jìn)去的。那是因?yàn)榧怃J的轉(zhuǎn)角增加了它表面的張力，從而影響了金屬液體流動(dòng)。而等離子可以將很深洞中或其他很深地方將光刻膠的殘留物去除掉。

等離子清洗工藝研究

在微組裝中，等離子清洗是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，它直接影響到所組裝功能模塊的質(zhì)量，等離子清洗工藝在微組裝工藝中主要應(yīng)用在以下兩個(gè)方面。

①點(diǎn)導(dǎo)電膠前：基板上的污染物會(huì)導(dǎo)致基板浸潤(rùn)性差，點(diǎn)膠后不利于膠液平鋪，膠液呈圓球狀。使用等離子清洗可以使基板表面浸潤(rùn)性大大提高，有利于導(dǎo)電膠平鋪及芯片粘貼，提高芯片粘接強(qiáng)度。

②引線鍵合前：芯片粘貼到基板上后，經(jīng)過高溫固化，其上存在的污染物可能包含有微顆粒及氧化物等，這些污染物使引線與芯片或基板么間枯附性差，造成鍵合強(qiáng)度不夠。在引線鍵合前進(jìn)行等離子清洗，會(huì)顯著提高其表面活性，從而提高引線鍵合強(qiáng)度。

等離子清洗工藝試驗(yàn)

微組裝中等離子清洗對(duì)象主要有芯片鍵合區(qū)、基板語(yǔ)盤、引線框架、陶瓷基片等。本試驗(yàn)選用基板進(jìn)行清洗，基板焊盤表面誕銀、已氧化，采用微波等離子清洗機(jī)對(duì)基板進(jìn)斤清洗試驗(yàn)，選用氮?dú)浠旌蠚怏w作為清洗工藝氣體，在清洗過程中氫等離子體能夠有效地去除基板焊盤上的氧化物。通過試驗(yàn)，有效地控制清洗時(shí)的壓力、功率、時(shí)間及氣體流量等工藝參數(shù)，能夠獲得良好的清洗效果。