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1. 工程概況 

清華大學微電子所高純水站產水用于超大規模型集成電路（VLSI）清洗工序，水處理 工藝采用了RO和EDI聯合處理工藝，是目前流行環保型新工藝，由北京化工大學 設計。 2.設計原始資料 

1. 工藝流程及主要設備
2. 預處理系統 

包括水箱、水泵、絮凝劑加藥計量泵、管道混合器、多介質過濾器及反沖洗泵等設備 水箱V＝15m3/h, H＝539kPa， 2臺.

絮凝劑投加裝置包括藥箱、隔膜加藥泵(電磁隔膜泵)，PSC投加量為10mg/La.

管道混合器可使原水與絮凝劑快速充分混合生成絮狀物。 

多介質過濾器，流量為17.6m3/h,濾速為8m/h,2臺((1用1備)，除去懸浮物和膠體。

反沖洗泵為立式多級泵，每次反沖洗10min

5um微濾裝置用于保證反滲透的進水SDI達到其規定值，即SDI< 4

1. 反滲透系統 

包括高壓泵、反滲透組件、清水系統及中間水箱等。 

高壓泵為反滲透運行提供所需的進 水壓力，Q=18m3/h,H=1 .2MPa，2臺。 

反滲透系統采用一級2段脫鹽，1段反滲透壓力容器按2:1排列，2段反滲透壓力容器 按1:l排列，共5個壓力容器，1段產水量為13. 2m3 /h，回收率為75環，2段產水量為 11. 2m3 /h，回收率為8500。反滲透組件選用美國海德能公司主產的芳香族聚酞胺膜ESPA3 型膜組件，它是超低壓節能型復合膜，其外徑/長度=F201. 9mm/1016mm，有效膜面積為 37. 16m2，脫鹽率98%，操作壓力1. 05MPa。反滲誘主要去除水中溶解鹽類，同時去除大分子有機物及前段剩余的小微粒等。 

為了確保反滲透系統的正常運行，在反滲透前設UV殺菌器，UV殺菌器的處理量為17.6M3 /h，波長為254m，強度為30000uW s/ cm2，殺菌率為99%。并設阻垢劑投加系統，阻垢劑采用Flocon260型，投加量為2.4mg/L，或PTPO100型.投加量為1mg/L。為 去除CO2，在兩段反滲透之間投加NaOH，調節一段反滲透出水pH值為7.83, NaOH設 計投加量為4. 5mg/L。反滲透產水存人中間水箱。 

乏滲透系統還設有清洗系統，包括水箱、清洗泵、5um過濾器等，同時也可用于對電 去離子裝置進行清洗。  

兩段反滲透出水水質為:電導率<uS/cm, SiO2<500ug/L, TOC<50tcg/La 

1. 電去離子和脫氧膜系統 

它包括中間泵、電去離子裝置、脫氧膜組件及真空泵等 中間泵為電去離子和脫氧膜裝 蒙提供動力升壓，采用立式多級泵2臺((1用1備)，Q為112m3/L, H為490kPa

選用流量為11. 46m3 /h的電去離子組件，其產水量為10. 7m’ /h,回收率為95%電去 

離子為進水組件。電去離子產水水質為:電阻率>1. 75M歐cm, SiO2 <20ug/L，系統設有一臺脫氧膜組件，產水量為10. 7rn3 /h，包括6根脫氧膜組件，4X28-X4型，分兩組，每 三段串聯，除氧率為99. 58%，出水含氧量為30ug/L.以下。脫氧膜配有一臺2BV5型液環 式真空泵，真空值為6. 65kPa，抽真六體和汽且為120m3 /h- 

(4>循環后處理系統 

包括高純水箱、高純水泵、去除TOC的185nm UV裝置、高純水設備清混床、超濾設備、 回水UV殺菌器、回水背壓閥等。 

高純水泵系立式多級泵，Q為13.8M3/h, H為735kPa, 2臺((1用1備)，采用變頻供水，壓力0.25MPa

185nm UV殺菌器處理水量為13. 8m3 /h，照射強度C80000uw s/m2，出水TOC<10ug/L

高純水設備精混床分兩組，每組3臺串聯，共6臺，單臺產水量為5m3 /h，設計流速為 40m/h，出水電阻率>18M歐 cm.

終端采用中空纖維式NTU－3306－K6R型超濾裝置1臺， 大產水量為15 M3 ，切割分子量6000

回水UV殺菌裝置，處理水量3m3/h ，照射強度上<30000uW s/cm2,  使用壽命8750h. 殺菌率>99%。純水箱用氮密封以防再污染。 

回水背壓閥可保證用戶用水點的水壓穩定。 

終出水水質:TOC<2ug/L，電阻率>18M歐 cm，溶解氧<4ug/L