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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)相對電容率測試儀工作原理本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù) 產(chǎn)品型號：gdat-a所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：工頻介電常數(shù)介質損耗測試儀 北廣公司核心技術由北廣公司嚴格組建 并有專業(yè)的儀器美工專注外觀設計 從儀器的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后等 *承建企業(yè)體系 。并且研發(fā)更的試驗控制儀器 控制方式*升級 現(xiàn)研發(fā)的微機控制儀器、控制方式采用無線藍牙*技術 并且可選用 232 / USB/亞太局域網(wǎng)絡端口，已是全國* * 產(chǎn)品型號：GDAT-a所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：高頻介電常數(shù)介質損耗因數(shù)正切值測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：絕緣材料介電常數(shù)介質損耗測試儀： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測試。 ◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：高頻介電常數(shù)介質損耗因數(shù)測試儀能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：1．Q值測量 a．Q值測量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔； c．標稱誤差 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：材料高頻介電常數(shù)測定儀 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀/介質損耗因數(shù)和電容率測試儀的詳細描述： 電： / 介電常數(shù)介質損耗試驗儀滿足標準：GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法 概述 A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別 AC 測試頻率范圍25kHz～60MHz100kHz～160MHz 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：固體材料介電常數(shù)介質損耗測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：材料介電常數(shù)測定儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀主要技術指標： 2.1 tanδ和ε性能： 2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。 2.1.2 tanδ和ε測量范圍： tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50 2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2% 工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器 Q值 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀電感器： 按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。 例如：在1MHz測試頻率時，要配250µH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1µH電感器等。 高頻介質樣品（選購件）： 在現(xiàn)行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。 該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：儀器滿足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質損耗因數(shù)。 2.高頻電容率和介質損耗因數(shù)測試系統(tǒng)構成 2.1.概述：高頻電容率和介質損耗因數(shù)測試系統(tǒng)由S916測試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：五.注意事項： 1．測試裝置使用結束后，請及時關閉液晶顯示屏的電源，可延長電池的壽命。如果電池發(fā)出電壓低報警，應及時更換電池保證測量的精度。電池更換位置位于液晶顯示屏的被面十字蓋冒下。用工具將十字蓋冒逆時針旋轉約45°，既可取下十字蓋冒，更換電池。 2．本測試裝置是由精密機械構件組成的測微設備，所以在使用和保存時要避免振動和碰撞，要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存，用戶不能自行拆裝，否 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：使用方法 高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器，為了提高測量精度，除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測試方法和殘余參數(shù)修正方法。 1．測試注意事項 a．本儀器應水平安放； b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘； c．調節(jié)主調電容或主調電容數(shù)碼開關時，當接近諧振點時請緩調； d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：高頻介質損耗測試系統(tǒng)由916測試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的Z佳解決方案。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。 A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設備有限公司Z 新研制的產(chǎn)品，它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號源，頻率達 60MHz/160MHz，信號源具有信號失真小、頻率精確、信號幅 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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北京北廣精儀儀器設備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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