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8英寸鍺片

1、晶體習性與幾何描述：

   該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。當一個晶體屬于原生態晶體時，其當量直徑為：

  D ----外形尺寸當量直徑

  W----鍺晶體重量

  L-----晶體長度

  測量值是四舍五入小可達到毫米級別。為了便于訂單出貨，我們會依據晶體的體積、直徑和長度進行分類。同時我們可以滿足客戶的特殊需求，提供定制服務。

      2、純度：殘留載荷

    大允許凈載流子雜質濃度與探頭二極管的幾個構造有關，請參照如列公式。其純度依據據霍爾效應測量和計算。

        同軸探測器：同軸探測器適用于下列公式：

         N_max = 每立方厘米大雜質含量

        VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

              εo = 介電常數 = 8,85 10-14 F/cm

              εr = 相對介電常數(Ge) = 16

         q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)

         r1 = 探測器內孔半徑

           r2 = 探測器外孔半徑

8英寸鍺片

      3、純度 ：              

         假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕，內徑8毫米的內孔半徑， 適用公式變為：            

        D = 晶體外表面            

         平面探測器：平面探測器（厚度小于2厘米）適用于以下公式：

          d=探測器外觀尺寸厚度

          徑向分散載荷子（值）

          遷移：霍爾遷移

      性能： P 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

         N 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

      能級： P 型晶體  通過深能瞬態測量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

      N 型晶體  通過深能瞬態測量點缺陷 < < 5*10⁸ cm^-3

           晶體主要指標：                               P 型晶體               N 型晶體    

                                          錯位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                          星型結構             ≤ 3                       ≤ 3              

                                          鑲嵌結構              ≤ 5                       ≤ 5              

電阻率             0.02-0.04 ohm.cm

      4、高純度高純鍺HPGe晶體

           說明：