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產(chǎn)品簡介
GMX50P4-83-RB-SMN高純鍺探測器
半導體（高純鍺和Si（Li））探測器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測量技術與產(chǎn)品，不僅是核結構、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應研究的重要工具
半導體（高純鍺和Si（Li））探測器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測量技術與產(chǎn)品，不僅是核結構、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應研究的重要工具
詳細介紹
GMX50P4-83-RB-SMN高純鍺探測器
半導體（高純鍺和Si（Li））探測器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測量技術與產(chǎn)品，不僅是核結構、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應研究的重要工具，而且在核電、環(huán)境、檢驗檢疫、生物醫(yī)學、天體物理與化學、地質、法學、考古學、冶金和材料科學等諸多科學與社會領域得到了越來越廣泛的應用。
四十多年來，ORTEC 探測器種類不斷豐富、性能不斷提高，在探測效率上，能提供相對效率200%的P型同軸探測器、175%效率的P型優(yōu)化（“寬能”）同軸探測器和*效率的N型探測器。
一、 探測器機理與各指標的簡要意義
放射性核素產(chǎn)生的γ光子和X射線，其能量一般在keV至MeV范圍。由于其不帶電荷，通過物質時不能直接使物質產(chǎn)生電離，不能直接被探測到，因此γ和X射線的探測主要依賴于其通過物質時與物質原子相互作用，并將全部或部分光子能量傳遞給吸收物質中的一個電子。這種相互作用表現(xiàn)出光子的突變性和多樣性，在吸收物質中主要產(chǎn)生三種不同類型的相互作用：光電效應、康普頓效應或電子對效應，而產(chǎn)生的次級電子（光電子）再引起物質的電離和激發(fā)，形成電脈沖流，電脈沖的幅度正比于γ和X射線的能量。三種效應中，光電效應中γ光子把全部能量傳遞給光電子而產(chǎn)生*峰，是譜儀系統(tǒng)中用于定性定量分析的主要信號；而康普頓效應和電子對效應則會產(chǎn)生干擾，應盡可能予以抑制。
在譜儀中，探測器（包括晶體、高壓和前置放大器）實際上是一個光電轉換器，將光子的能量轉變成幅度與其成正比的電脈沖。然后通過譜儀放大器將該脈沖成形并線性放大，再送入模數(shù)變換器即ADC中將輸入信號根據(jù)其脈沖幅度轉變成一組數(shù)字信號，并將該數(shù)字信號送入多道計算機數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)，由相關軟件形成譜圖并進行分析。
GMX50P4-83-RB-SMN高純鍺探測器
以下簡要闡明所涉及的相關物理概念：
1、相對效率、效率與實際效率
相對探測效率（即標稱效率）的定義：按ANSI/IEEE Std. 325-1996定義，Co-60點源置于探測器端面正上方25cm處，對1.33MeV能量峰，半導體探測器與3"×3" NaI探測器計數(shù)率的比值，以%表示。效率：Co-60點源置于探測器端面正上方25cm處，1.33MeV能量峰處所產(chǎn)生的實際探測效率（3"×3"NaI探測器，此效率為0.12%）。實際探測效率：取決于感興趣核素所在能量峰、探測器的晶體結構、實際樣品的形狀、體積及探測器與樣品間的相對位置關系等因素。
針對低活度樣品的測量，通過提高實際探測效率以提高測量靈敏度是選擇探測器的出發(fā)點。
2、 能量分辨率（FWHM）：探測器或系統(tǒng)對不同能量γ和X射線在探測中的分辨能力，通常以半高寬（FWHM，*峰高度一半處所對應的能量寬度）表示。比如對于1.33MeV能量峰，按ANSI/IEEE Std. 325-1996定義，Co-60點源置于探測器端面正上方25cm處，在計數(shù)率為1kcps時的*半高寬。由于高純鍺探測器的分辨率本身已經(jīng)相當精銳，除了在中子活化、超鈾元素分析等少數(shù)應用中，能量分辨率已不是首要考慮的因素。更加實際的分辨率問題是在高計數(shù)率和計數(shù)率動態(tài)變化（如中子活化、裂變產(chǎn)物、在線監(jiān)測、現(xiàn)場測量）情況下，如何保證分辨率盡可能的穩(wěn)定。
3、 康普頓效應與峰康比
γ光子與探測器中的半導體原子的電子相互作用時，將部分能量傳遞給電子，剩余能量的γ光子以一定的角度散射出去，成為康普頓散射。康普頓效應的結果會導致在低能部分的*峰下方形成康普頓坪，成為相關能量峰的本底或甚至淹沒此能量峰。
峰康比：對1.33MeV能量峰，指其*峰的中心道計數(shù)與1.040MeV至1.096MeV區(qū)間內康普頓坪的平均道計數(shù)之比。
4、 峰形
表征*峰對稱性之指標，通常以FTWH（十分之一全高寬）與FWHM（半高寬）之比表示。為嚴格定義峰形，ORTEC對部分探測器同時提供F.02WH（五十分之一全高寬）與FWHM（半高寬）之比。
二、 ORTEC所有同軸探測器全面嚴格保證能量分辨率、峰康比和峰形指標。
1、ORTEC HPGe與Si（Li）探測器的分類與特點：
GEM系列: P型同軸HPGe探測器
GEM Profile系列: P型優(yōu)化同軸HPGe探測器
- 同一型號的探測器采用相同的晶體結構和尺寸，從而保證了相當*的效率曲線；
- GEM-M系列：專門設計適用于馬林杯狀樣品的測量，探測器端窗直徑與晶體有效厚度*；
- GEM-F系列：采用扁平結構晶體（直徑>長度），對于濾紙、濾膜等薄層樣品的測量能獲得的實際探測效率；
- GEM-FX系列：有著-F系列類似的晶體結構，但采用超薄的接觸極和碳纖維端窗，能量響應范圍10keV至10MeV；還可作為超鈾元素測量的理想選擇；提供15%，20%和50%三種探測效率選擇；
- GEM-MX系列：結合-M與-FX工藝，能量響應范圍10keV-10MeV，尤其適合于馬林杯狀樣品；提供38%, 66%，115%和175%四種效率選擇；
- GEM-FX與GEM-MX在整個10keV至10MeV（“寬能”）的能量范圍內都有十分優(yōu)異的能量分辨率，從指標與實用意義上實現(xiàn)了傳統(tǒng)P型與N型探測器的“優(yōu)勢組合”。
Actinide-85: 肺部計數(shù)HPGe探測器：
采用GEM-FX8530探測器工藝，用于肺部計數(shù)探測器；采用超低本底冷指材料和整體碳纖維封裝結構。
SLP系列: X-射線Si(Li)探測器：
用于X-射線能譜測量；能量響應范圍1keV至30keV；有效面積12.5至200mm2。
對于700keV以下的能量峰，120cc體積的井式探測器已能很好的滿足探測效率的要求，增大探測器體積并沒有太多的實際意義。
2、探測器的附屬選項及其意義
