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陰離子-π相互作用抑制 FAPbI3 太陽能電池中的相雜質(zhì)

閱讀:684      發(fā)布時間:2023-10-26
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北京大學(xué)周歡萍再發(fā)Nature

                                             

nature.jpg


編者薦語:

本文借助QSense耗散型石英晶體微天平技術(shù)對HFB延緩 FAI PbI2之間的反應(yīng)進(jìn)行了定量研究。結(jié)果表明,HFB可以有效地延緩FAIPbI2之間的反應(yīng)速率。

 

陰離子相互作用抑制 FAPbI3 太陽能電池中的相雜質(zhì)

金屬鹵化物鈣鈦礦(ABX3)已經(jīng)成為各種應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是在光伏領(lǐng)域中備受期待的材料。鈣鈦礦太陽能電池(PSC)的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)已迅速提高至26.1%。然而,要在長期運(yùn)行過程中維持其性能,特別是在加速老化過程中保持其性能仍然是一項挑戰(zhàn)。因?yàn)殁}鈦礦中的成分和相位具有復(fù)雜的化學(xué)性質(zhì),這導(dǎo)致薄膜存在多尺度缺陷,如點(diǎn)缺陷、成分異質(zhì)性、不良?xì)埩粑锖投喑叨却紊嗟取_@些缺陷可能導(dǎo)致光帶隙不理想、光電響應(yīng)不佳,甚至材料的降解。因此,迫切需要通過盡可能地減少多尺度雜質(zhì),特別是那些關(guān)注度有限的納米級相雜質(zhì),以進(jìn)一步提高鈣鈦礦材料的質(zhì)量。

鈣鈦礦的形成依賴于 AX BX2 之間的反應(yīng),而大多數(shù)傳統(tǒng)的薄膜生長調(diào)節(jié)方法僅基于與 BX2 成分的相互作用。在此,北京大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院周歡萍教授課題組展示了另一種通過AX與六氟苯(HFB)之間的陰離子相互作用來調(diào)節(jié)反應(yīng)動力學(xué)的方法值得注意的是,這兩種方法是獨(dú)立的,但共同建立了 "雙位點(diǎn)調(diào)節(jié)",從而實(shí)現(xiàn)了對 AX BX2之間反應(yīng)的微妙控制,而不會產(chǎn)生不必要的中間產(chǎn)物。由此產(chǎn)生的甲脒鹵化鉛(FAPbI3)薄膜具有缺陷少、紅移吸收和相純度高等特點(diǎn)。因此實(shí)現(xiàn)了功率轉(zhuǎn)換效率高達(dá) 26.07% PSC。在 50 ± 5 °C AM 1.5 G 全光譜太陽光下,該裝置在功率點(diǎn) (MPP) 跟蹤 1258 小時后,其初始 PCE 仍保持 94%該方法通過探索陰離子的相互作用,擴(kuò)大了發(fā)生在過氧化物前驅(qū)體中的化學(xué)相互作用的范圍,并強(qiáng)調(diào)了 AX 成分作為一種新的有效工作場所對于改進(jìn)具有高質(zhì)量和相純度的光伏器件的重要性。相關(guān)成果以“Anion–π interactions suppress phase impurities in FAPbI3 solar cells"為題發(fā)表在《Nature》上。作者為黃子健

文章題目截圖.png



FAI HFB 之間的陰離子相互作用

作者以FAPbI3 為示例,研究薄膜生長過程中陰離子與π的相互作用。密度泛函理論(DFT)計算(圖 1a)表明,碘陰離子與具有重疊電子云的HFB有良好的相互作用,其中碘和碳之間的距離(3.58 ?)比它們的范德華半徑之和還要短。HFB FAI/ 異丙醇(IPA)溶液在 500-560 納米波長處均未顯示熒光(圖 1b)。然而,當(dāng)將 HFB 加入到 FAI/IPA 溶液中時,在 545 納米波長處出現(xiàn)了一個新的發(fā)射峰,這表明可能形成了一種復(fù)合物。作者進(jìn)一步進(jìn)行了紫外可見吸收測量(圖 1c)。FAI HFB 分別在 260 納米和 280 納米處顯示出吸收邊緣,但 HFB FAI 的混合物在 325 納米處顯示出一個更遠(yuǎn)的紅移吸收邊緣,這表明碘化物和 HFB 之間發(fā)生了電荷轉(zhuǎn)移HFB可以與 FAI 反應(yīng)生成 [FAI?HFB],并延緩 FAI PbI2之間的反應(yīng)。

圖片1.png



1:陰離子相互作用的示意圖和實(shí)驗(yàn)研究。借助耗散型石英晶體微天平對這種延緩效應(yīng)進(jìn)行了定量研究。浸泡在FAI/IPA中的PbI2膜一開始質(zhì)量就快速增加,而且很快達(dá)到飽和(圖1f,上圖),這可能是因?yàn)?/span>δ-FAPbI3的形成阻礙了FAI的進(jìn)一步擴(kuò)散。相比之下,FAI–HFB/IPA溶液中的PbI2在開始時質(zhì)量增加幅度更小,而且一直沒有達(dá)到飽和。此外,電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測量結(jié)果顯示,前30秒內(nèi),有3.6%FAIFAI/IPA溶液中消耗,而在FAI–HFB/IPA溶液中僅消耗1.2%FAI(圖1f,下圖)。這些結(jié)果表明,HFB可以有效地延緩FAIPbI2之間的反應(yīng)速率。

 

HFB對鈣鈦礦薄膜生長的影響

原位紫外-可見吸收測量用于研究 FAPbI3 的形成過程。作者將不含 HFB 和含 HFB 的鈣鈦礦樣品分別稱為 "對照 "樣品和 "HFB "樣品。圖 2a b 分別顯示了在 (FAI + MACl)/IPA 溶液和 (FAI + MACl)/(IPA + HFB) 溶液中浸泡 1 小時的 PbI2-DMSO 薄膜的原位吸收差異。對照樣品的吸收閾值為 470 納米,差值為 450 納米(圖 2a,c),對應(yīng)于 HFB 樣品中不存在的 δ-FAPbI3(圖 2b,c)。

結(jié)果表明,添加 HFB 可以延緩 FAI PbI2 在室溫下的反應(yīng),從而抑制 δ-FAPbI3 或其他結(jié)晶中間相的形成。加熱時,HFB 會從薄膜中逸出,這樣就能更直接地從濕膜中形成結(jié)晶的 α-FAPbI3,同時大大減少了副反應(yīng)。這種雙位調(diào)節(jié)不同于以往通過形成另一種穩(wěn)定的中間相來抑制 δ-FAPbI3 或加速 δ-FAPbI3 α-FAPbI3 的充分轉(zhuǎn)化的方法。

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2:陰離子相互作用對成膜的影響

HFB 對最終鈣鈦礦薄膜的影響

最終薄膜的變化可能源于結(jié)晶過程。通過 X 射線衍射(XRD)和 GIWAXS(圖 3a,b)測量,HFB 樣品顯示出更窄的α-FAPbI3 衍射峰。此外,從掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(圖 3cd)中可以清楚地觀察到,加入 HFB 后,晶粒尺寸從約 200 nm 增加到 1 μm 以上。此外,結(jié)果證實(shí)了在用傳統(tǒng)前驅(qū)體(FAPbI3 + MACl)制造的 FAPbI3鈣鈦礦中存在納米級雜質(zhì),并且可以通過添加 HFB 而得到抑制。

圖片3.png



3:陰離子相互作用對最終FAPbI3鈣鈦礦薄膜的影響

HFB 鈣鈦礦器件的性能

然后,作者制成鈣鈦礦太陽能電池。 HFB 器件的正向掃描 PCE 26.07%,反向掃描 PCE 26.01%,平均 PCE 26.04%(圖 4a)。穩(wěn)定功率輸出為 25.9%。對100 個帶或不帶 HFB 的器件進(jìn)行了統(tǒng)計分析。HFBPCE平均達(dá)到 25.65%,而對照組為 24.53%(圖 4b)。根據(jù)外部量子效率和電致發(fā)光光譜(EQE-EQEEL)(圖 4c),HFB 樣品和對照樣品的開路電壓分別為 1.236 V 1.254 V,因此計算出每種樣品的非輻射 VOC 損失分別為 0.043 V 0.076 V。如圖 4g 所示,對照 PSC PCE 600 小時后下降了 30%,而 HFB 器件在 1258 小時后仍保持了 94% 的初始效率。在 12 個器件中,對照 PSC 1255 小時后平均保持了 88.3% 的初始效率。使用 HFB 的器件在 12 個器件中平均保持了其初始效率的 91.8%。耐熱性增強(qiáng)的原因可能是 HFB 包鈦礦中的 MA 陽離子殘留減少。

圖片4.png



4:陰離子相互作用對PCEPSC穩(wěn)定性的影響

小結(jié)

總之,作者已經(jīng)證明,鹵化物鈣鈦礦的生長可以通過 AX 成分中陰離子與鹵化物的相互作用進(jìn)行實(shí)質(zhì)性調(diào)控,這種作用是獨(dú)立進(jìn)行的,但與 BX2 的調(diào)控共同起著良好的作用,從而形成雙位點(diǎn)調(diào)控。特別是它能抑制δ-FAPbI3的形成,減少α-FAPbI3鈣鈦礦中的組分殘留,從而提高組分和相的純度,尤其是不會檢測到納米級的相雜質(zhì)。此外,由于陰離子相互作用廣泛存在于缺電子系統(tǒng)和陰離子之間,這些發(fā)現(xiàn)和方法可擴(kuò)展到其他具有電子供體陰離子的溶液加工化合物材料。

論文原文鏈接:

articles/s41586-023-06637-w

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