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西門子伺服驅動模塊的維修方法和故障判斷

時間:2014/11/19閱讀:9194
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近年來西門子公司Sinumerik數控系統在制造業各種加工設備中的應用越來越廣泛。SimoDrive61 l變頻系統是Sinumerik數控系統中zui重要的組成部分,但是611系統對使用環境的要求相對較高,電網質量、環境溫濕度及灰塵等因素都對系統的穩定運行造成很大影響,特別是伺服驅動模塊和電源模塊的故障率比較高,大功率IGBT元件很容易損壞。

筆者公司目前擁有西門子各類數控系統近百臺、套,因此對伺服電源模塊和驅動模塊的維修就顯得特別重要。本文結合自身的維修經驗,主要介紹西門子6SNl 123驅動模塊的一般維修方法。因為6SNI 145電源模塊與驅動模塊的電路結構基本相同,電源模塊實現整流,驅動模塊實現逆變,其大功率IGBT及其驅動電路*一樣,因此具有同樣的借鑒意義。

1 驅動模塊的基本電路結構

驅動模塊的結構較為簡單,分為控制模塊和功率模塊兩部分,控制模塊接收CPU的控制指令及外部反饋信號,產生PWM波,實際應用中故障率很低,在此不做介紹。功率模塊接收PWM波經門極驅動電路放大后觸發IGBT元件,將600 V直流電逆變生成三相交流電驅動伺服電動機。功率模塊的故障率較高,驅動模塊故障的90%均為功率模塊故障,驅動模塊的維修重點就是功率模塊的維修。圖1為驅動模塊的電路示意圖。

圖1驅動模塊結構示意圖

由圖1可知,Cl、C2和R1、It2組成濾波電路;V1~V6六只IGBT管組成了三相橋式逆變電路,它是驅動模塊的核心電路之一,有規律地控制IGBT的導通與關斷,就可以得到任意頻率的三相交流輸出。IGBT管在導通和關斷的瞬間,其電壓和電流的變化率非常大,可能使IGBT管受到損害,因此,每個IDBT管旁邊接人由C01一C06和R01~R06組成的保護電路。IGBT管每次由導通到截止的瞬間,集電極和發射極間的電壓將迅速由0 V上升為直流母線電壓Ud,C01~C06可以減小這種過高的電壓增長率;同時,IDBT管由截止到導通的瞬間,C01~C06所充的電壓將對V1~V6放電,此放電電流的初值很大,R01~R06可以限制C01一C06的瞬間放電電流,防止IGBT管損壞。

功率模塊故障基本都是IGBT功率元件損壞,主要原因為IGBT元件自身失效或驅動電路故障導致IGBT元件燒毀,而一般IGBT元件的故障都會導致其驅動電路的損壞,這一點在驅動模塊的維修中非常重要。關于IGBT及其門極驅動電路的維修在下面詳細介紹。

2 IGBT元件的檢修

2.1 IGBT元件簡介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

西門子功率模塊中的IGBT元件一般選用eupee或infineon系列,也有使用富士系列的,其基本結構都是相同的。如圖2所示,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0 V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極一發射極間施加十幾伏的直流電壓,只有肚級的漏電流流過,基本上不消耗功率。

圖2 IGBT的等效電路

IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般為20~30 V,因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。在使用IGBT元件時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,或者先釋放靜電然后再觸摸。IGBT元件的散熱不良也是導致其失效的重要原因。IGBT元件與散熱片接觸不好或散熱風扇損壞都將導致IGBT元件發熱過高而發生故障。另外,伺服電動機短路,對地絕緣不好,電動機堵轉,外部電源電壓過高及驅動電路故障等都有可能造成IGBT元件的損壞。

2.2 IGBT元件的檢測

IGBT元件可以通過晶體管特性測定裝置檢測G、E及C、E問的漏電流來判斷好壞。一般情況下,使用數字式萬用表即可進行簡單的故障判定。具體方法如下:

(1)G、E間的檢測:如圖3所示,將C、E間短接,測量G、E間的電阻值。注意不要在G、E間加超過±20 V的電壓,萬用表要確認內部電池電壓不超過20V。無論萬用表正負表筆如何連接,檢測的電阻值始終為數十兆歐至無窮大,則IGBT元件基本正常,否則損壞的可能性很大。

圖3 G、E間的檢測

(2)C、E間的檢測:如圖4所示,將G、E間短接,測量C、E間的電阻值。集電極接萬用表正極,發射極接萬用表負極,如果相反,則FWD導通,C、E間為短路狀態。如果檢測的電阻值在數十兆歐至無窮大,則IGBT元件基本正常,否則損壞的可能性很大。

圖4 C、E間的檢測

上述兩種檢測方法,任何一種檢測結果異常,均可判定IGBT元件故障,直接更換即可。

3 IGBT元件的檢修

西門子驅動模塊的門極驅動電路采用典型的光耦隔離驅動電路,其原理圖如圖5所示。由于IGBT是高速器件,所選用的光耦U5(4 514 V)是一種高速型光耦,控制模塊輸出的PWM方波信號經過光耦傳遞至整形放大電路D5(SIE20034),經D5放大后驅動由V56、V57組成的對管(V56、v57使用C63816、C63916開關管),對管的輸出經電阻R52驅動IGBT的門極。

圖5驅動電路原理圖

造成驅動損壞的原因有各種各樣的,一般來說當驅動模塊直流母線上快熔開路,或者是IGBT元件損壞的情況下,驅動電路基本都不可能完好無損。切不可換上好的快熔或者IGBT元件直接上電啟動,這樣很容易造成剛換上的好的器件再次損壞。這個時候需要重點檢查驅動電路是否正常,方法如下:

(1)先將IGBT元件的G、E腳與驅動電路板脫開,用萬用表電阻檔分別測量六路驅動電路G、E腳的阻值是否都相同。萬用表先正極接G負極接E,然后反過來再測量,兩種狀態如果某路阻值明顯不同,則此路的元件肯定有損壞。

(2)如果六路阻值都基本相同,接下來需要加電測試:使用示波器測量六路驅動電路上電壓是否相同,當給定一個啟動信號時六路驅動電路的波形是否一致。如果沒有示波器的話,也可以使用數字式萬用表來測量驅動電路的直流電壓。

具體方法是:首先給SIE20034的4、6腳加上工作電壓,測量驅動電路輸出端的電壓,即G和E之間的電壓,應該均為負值(測G端以E端為基準),一般約為負5 V左右,如果某一電路不能產生負偏電壓,則驅動電路一開就會損壞IGBT元件。然后在光耦4 514 V的2、3腳卜加一個約5 V、20 mA的正信號,使光耦導通,此時輸出電壓應為正值,一般為正8—10 V左右,此時如可以明顯地看到隨著光耦輸入信號的有無,輸出端的電壓在正負之間變動,則該通道正常。用此方法分別對6路通道進行測試,結果一樣則呵以基本認定控制回路正常。

(3)將IGBT元件連接到驅動電路上,在直流母線上先加上直流30 V電壓替代原來的600 V高壓,依次檢測每一路IGBT元件的通斷情況。為了確保安全,還可以在IGBT元件與濾波大電容之間串聯一組燈泡做假負載來驗證,通電后如果燈泡亮度很大說明電路有短路情況,這樣可以保護IGBT元件不被大電容的放電電流燒壞。

經過檢查發現某一路驅動電路有異常時,可以用比較法(測量阻值或電壓)與正常電路進行逐點比較,zui終找出損壞的元件進行更換,直到測試結果與正常電路一樣為止。因為驅動電路的元器件并不多,這種方法找到故障點并不困難。實際維修中4 515 V光耦比較容易損壞,驅動電路的元件價格一般不是很高,象光耦這樣的器件隨著使用時間的增加性能會逐步變差,一般可以直接更換。實際維修中,光耦也可以用HP4506替代使用。

4 結語

611驅動模塊按照功率不同其價格一般在數萬元左右,隨著西門子新一代S120驅動系統的推廣應用,611驅動模塊的備件采購價格將會越來越高。我公司通過對驅動模塊、電源模塊開展芯片級維修,既降低了備件的采購量,又節省了大基的維修費用,縮短了設備的維修時間,取得了良好的經濟效益。

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