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Cu2SnS3中摻雜鈷:相變與能帶結(jié)構(gòu)修飾協(xié)同增強(qiáng)熱電性能

閱讀:2745      發(fā)布時間:2020-8-14
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  【引言】
 
  熱電材料可以實現(xiàn)熱梯度與電壓的轉(zhuǎn)換,因此通過余熱收集具有巨大的節(jié)能和環(huán)保潛力。熱電材料的性能從本質(zhì)上決定了其轉(zhuǎn)換效率,其特征通常是無量綱熱電優(yōu)值ZT。ZT值與Seebeck系數(shù)、電導(dǎo)率、溫度、電子熱導(dǎo)率和晶格熱導(dǎo)率有關(guān)。理想的TE材料應(yīng)具有較高的σ和S值,以獲得較大的功率因數(shù)(PF=S2σ);同時,它們應(yīng)具有內(nèi)在的低導(dǎo)熱性,以較大化ZT。然而,將這些相關(guān)參數(shù)解耦是一個挑戰(zhàn)。
 
  【成果介紹】
 
  莫氏體型三元硫化物Cu2SnS3作為一種性能優(yōu)異的p型環(huán)保熱電材料,近年來在光伏領(lǐng)域得到了廣泛的研究。本文報道了d-軌道非填充過渡金屬(Co)摻雜對Cu2SnS3晶體結(jié)構(gòu)和電熱性能的顯著協(xié)同效應(yīng)。共摻雜的晶體結(jié)構(gòu)演化不僅涉及單斜到立方和四方的躍遷,而且還涉及一個層次結(jié)構(gòu)的形成(Cu-S納米沉淀、金屬和S空位,甚至納米尺度的層錯),與鍵軟化和聲子散射增強(qiáng)有關(guān)。對試樣進(jìn)行了XRD和SAED等分析,并用LSR-3商業(yè)系統(tǒng)(Linseis)中測量了試樣的Seebeck系數(shù)和電導(dǎo)率。在323K時獲得了0.90 Wm-1 K-1到723k時的超低晶格熱導(dǎo)率。此外,由于Co 3d態(tài)對價帶中固有的Cu3d態(tài)和S 3p態(tài)的貢獻(xiàn),有效質(zhì)量增加,從而在摻雜下獲得了顯著的功率因數(shù)(0.94m Wm-1 K-2,x=0.20, 723 K)。結(jié)果表明,723K時ZT為0.85,使改性Cu2SnS3達(dá)到了中溫環(huán)保型硫化物熱電材料的水平。
 
  【圖文導(dǎo)讀】
 
  圖1:(a) Cu2Sn1-xCoxS3(X=0.05~0.25)樣品的粉末X射線衍射圖;
 
  (b)單斜相(-2-11)峰,立方相(111)峰,四方相(112)峰的27°~30°區(qū)的放大。
 
  圖2:(a)單斜CTS結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)說明,其中金屬原子分開并以良好的順序固定;(b)單斜CTS中錫原子的位置,其中連接一個S(1)、一個S(2)和兩個S(3)原子,表明當(dāng)一個錫原子被Co取代時,相鄰的S(1)和S(2)中心四面體將具有減少的Σ=5或6;(c)立方CTS結(jié)構(gòu),其中金屬原子在M(4a)位隨機(jī)分布;(d)四方CTS結(jié)構(gòu),其中2a位由Cu占據(jù),其余2b和4d位由Cu、Sn和Co原子隨機(jī)占據(jù)。
 
  圖3:純CTS到20%共摻雜CTS的微結(jié)構(gòu)演化:典型的HRTEM圖像和相應(yīng)的FFT圖(插圖)(a)沿[100]區(qū)軸具有單斜結(jié)構(gòu)的純CTS;(b)沿[110]區(qū)軸具有立方結(jié)構(gòu)的5%共摻雜CTS;(c) 5%共摻雜CTS樣品的典型HRTEM圖像和層錯SAED圖;(d)20%共摻雜CTS中納米沉淀的低倍TEM圖像。
 
  圖4:(a)電導(dǎo)率,(b)Seebeck系數(shù),(c)Cu2Sn1-xCoxS3化合物的功率因數(shù)(x=0~0.25,323K~723K)的溫度依賴性。(d) 在300K左右,用有效質(zhì)量m*= nm0(n=2.0、3.5、5.0和7.0)的模擬線繪制共摻雜CTS樣品中Seebeck系數(shù)與空穴濃度的Pisarenko圖。隨著x的增加,m*的增加表明共摻雜水平對Cu2SnS3的電子態(tài)密度有顯著的貢獻(xiàn)。
 
  圖5:非摻雜態(tài)和共摻雜態(tài)Cu2SnS3的態(tài)密度(x=0.25),其中下自旋Co-3d態(tài)的貢獻(xiàn)顯著。
 
  圖6:(a)熱導(dǎo)率;(b)Cu2Sn1-xCoxS3(x=0~0.25)塊體材料的晶格熱導(dǎo)率隨溫度的變化。插入圖顯示了Cu2Sn1-xCoxS3(x=0~0.25)塊體材料的電子熱導(dǎo)率。
 
  圖7:從323K到723K, Cu2Sn1-xCoxS3(x=0到0.25)塊體材料的溫度依賴ZT值。
 
【結(jié)論】
 
  在Sn位未填充d-軌道摻雜Co,研究了Mohite型三元硫化Cu2SnS3的TE性能,重點研究了晶體和能帶結(jié)構(gòu)變化的協(xié)同效應(yīng)。共摻雜引起的結(jié)構(gòu)變化非常復(fù)雜,不僅涉及到原始單斜對稱性向摻雜立方和四方結(jié)構(gòu)的演化,而且還涉及到Cu-S沉淀、層錯甚至M和S空位的形成。通過聲速分析,推斷了相變引起的M-S原子間鍵的弱化,從而導(dǎo)致聲子速度和彈性模量的顯著降低。首先,由于摻雜樣品中的復(fù)雜結(jié)構(gòu),聲子散射被大大增強(qiáng),產(chǎn)生一個接近兩個相鄰M原子距離(0.4nm)的小平均自由程。晶格熱導(dǎo)率很低,323 K時為0.90 Wm-1K-1,723 K時為0.33 Wm-1 K-1。這些有關(guān)微觀結(jié)構(gòu)和晶格熱導(dǎo)率的發(fā)現(xiàn)有望幫助TE研究界的材料結(jié)構(gòu)設(shè)計。
 
  在電學(xué)上,3d未填充Co取代S n提高了n和m*,這是由于Co的受主作用,并且很可能是Co-3d在費米能級附近參與了上價帶,從而導(dǎo)致S的增強(qiáng),伴隨著摻雜的高S。當(dāng)x=0.20時,PF在723k時達(dá)到大值0.94mWm-1K-2。由于PF的增加和klat的減少,在723k時Cu2Sn0.8Co0.2S3的ZT意外地高達(dá)0.85;這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于迄今為止報道的其他硫化物材料的ZT值。因此,共摻雜CTS是一種非常有競爭力的用于中溫TE應(yīng)用的環(huán)保型候選材料。
 

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