日本ADVANCE RIKO公司總結多種薄膜沉積技術，發布電弧等離子體沉積（APD）系統。其工作原理主要分為三步：在觸發電上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰（靶材）上；其次真空中的陽和陰（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體；zui后通過磁場控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。

APD工作原理 

    電弧等離子體沉積系統用5個高能電容器，通過改變電容器使用數量，使充電電壓發生改變，從而控制脈沖能量，zui終達到控制薄膜厚度的目的。同時可以在1.5nm到6nm范圍內控制納米顆粒直徑，活性好，產量高。 

APD制備的Fe-Co納米顆粒的SEM和EDS圖譜 

    電弧等離子體沉積系統zui多搭載3個沉積源，可以同時/交替使用多種靶材，使得制備新化合物成為可能。金屬/半導體制備同時，控制腔體氣氛，可以產生氧化物和氮化物薄膜。另外，高能量等離子體可以使碳靶材離子化，在碳單質體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管沉積與制備方面有廣泛的應用。 

產品點

1.    可以通過調節放電電容量，控制納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內。

2.    APD系統適用于多種導電靶材，電阻率小于0.01Ω.cm的靶材系統都可以將其等離子體化。

3.    改變系統的氣氛氛圍，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產生超納米微晶鉆石。

4.    用該系統制備的納米顆粒用于催化，催化活性高于濕法制備。

5.    Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜。