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碳化硅SiC長晶設備
是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。可以生長6/8英寸的晶錠。
碳化硅SiC長晶設備
真空爐腔系統較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長的穩定性
．智能化生長及監測系統，實現多種制程精確定制，工藝優化，長晶全過程實時監控，數據可視化存檔
．新型感應加熱線圈設計，有效提高熱場加熱的均勻性和穩定性
．業內1st創的PIM自檢系統，有效減免制程時間浪費
．穩定可靠的水冷系統，實現了水道管路溫度、流量的實時監控，保證了生長室溫場的穩定性
．可生產6英寸P級碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個／cm2，電阻率達0.015-0.0280
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