金剛石薄膜具有不同的晶態（單晶、微晶、納米晶和超納米晶），是許多醫學和生物技術應用的潛在候選者，如埋植劑的涂層，用于神經元或生物傳感器活性部分的生長和研究的平臺。這與它們優異的力學性能、高的化學惰性和生物相容性有關。
化學氣相沉積（CVD）制備的金剛石薄膜是端氫的。這導致了一定程度的疏水性，這是觀察到化學惰性的原因。因此，進一步增加親水性或增加化學活性需要進行表面改性。通過等離子體處理和光化學方法實現-OH或-NH2基團的表面功能化。另一方面，等離子體氟化甚至會增加表面的疏水性。zeta電位用來評價功能化程度，它反映了表面-水界面的電荷形成。
圖1：流動電勢測量示意圖
圖2：Si晶片上經過O2等離子體處理和SF6等離子體處理的UNCD薄膜的Zeta電位與pH的關系
表1：圖2中未處理和等離子體處理后的UNCD表面zeta電位分析的關鍵指標
靈敏的流動電勢測量技術是用于監測表面活化等離子體處理或沉積方法，并確定各種表面終端或污染的技術
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