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磁控濺射物理氣相沉積是多功能高壓PVD系統,用于磁控濺射和多組分薄膜的熱蒸發，用于批量晶圓物理氣相沉積加工.
磁控濺射物理氣相沉積可在加熱至700℃的晶圓上濺射多組分層（金屬、電阻層、ITO層等）,設計用于主動研發和小規模生產。*化后的高真空不銹鋼反應器由固定源單元和升降頂蓋組成。反應器的***新人體工程學設計配有提升機構，便于蒸發器單元和內部篩網的日常維護。
磁控濺射物理氣相沉積特點
•可用于研發和小型生產的多功能真空沉積系統
•*化的系統人機工程學，操作和維護方便
•濺射幾何（自下而上）允許***小化樣品表面上的顆粒密度
•通過QCM、現場電阻測量等實現過程自動控制。
•高壓不銹鋼圓柱電抗器，頂部法蘭提升，集成水冷
•∅200mm靶材或∅150mm靶材具有6個磁控管源的5個端口，任何系統配置中，一個端口可用于離子束源
•旋轉木馬式基板支架，可改變樣品尺寸
•同一工藝的濺射晶圓大數量為5×∅200 mm、6∅150 mm和30片60×48 mm
•雙面沉積時基板支架可能翻轉180°的可能性（可選）
•2個靶材直徑達∅200 mm的磁控管源和百葉窗，2個電源（DC和RF），基本配置中磁控管之間自動重新連接
•沉積前基底清潔用離子束源（能量20÷300 eV）
•3條帶有自動氣體流量控制器的燃氣管線，包括防腐性能旁通管線
•工藝氣體：Ar、H2、O2、N2
•能夠安裝現場電阻測量見證樣品
•在特定濺射源下旋轉木馬定位的自動基板
磁控濺射物理氣相沉積規格參數
工藝過程反應器中的極限壓力: 不小于<5×10-7
達到預處理真空的時間（<5×10^-6Torr）: 不超過25min
磁控管源的***大數量：5×∅200mm 或 6×∅150mm
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
一次性處理晶圓數量：：5×∅200mm 或 6×∅150mm 或30x (60x48)mm
濺射薄膜的非均勻性： +/-2.5% @200mm
沉積過程中晶圓旋轉的速度范圍: 0~20rpm
晶圓加熱溫度： ***高700°С
泵送系統性能：–渦輪分子泵，不小于1300l/s
–干式渦旋泵，不小于35m3/h
過程：自動化控制
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