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電感耦合等離子體化學氣相沉積系統是為等離子化學蝕刻系統應用設計的反應離子蝕刻RIE和ICPCVD系統,將反應離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子體化學刻蝕模式相結合.
該電感耦合等離子體化學氣相沉積系統充分利用了半導體、電介質和金屬薄膜受控等離子體刻蝕工藝的所有必要特性。它適用于氯和氟化學。STE ICP200E允許兩種類型的等離子體激發：電容（冷卻基板電極）和電感（平面螺旋ICP電極）。
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統改進的小反應器容積和優化的供氣系統可以顯著提高工藝的均勻性和再現性，并縮短泵送時間。更新的反應器是最佳的蝕刻配方與快速變化的工藝氣體（博世過程）。由于可以方便地訪問所有內部組件，因此系統的日常維護變得更加容易。特殊的底部電極設計為蝕刻工藝提供高效的氦冷卻和晶圓溫度控制。
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統允許在較寬的工藝參數窗口內，將反應離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子體化學刻蝕模式相結合。射頻發生器自動匹配，從而確保穩定的等離子燃燒模式在廣泛的功率值范圍內。系統設計為其配置提供了解決單個客戶任務的廣泛機會。
電感耦合等離子體化學氣相沉積系統規格參數
工藝過程反應器中的極限壓力:<5×10
-6Torr
一次性處理晶圓數量：：7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
RIE反應器最大功率：600W @13.56MHz
ICP發生器最大功率：1200W @13.56MHz
晶圓冷卻溫度范圍：-30℃~80℃
達到預處理真空的時間（<5×10^-6Torr）: 不超過25min
磁控管源的最大數量：5×∅200mm 或 6×∅150mm
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-2% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動化把晶圓轉移到反應器中。
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