HORIBA科學儀器事業部
拉曼+半導體4H-SiC+不同層載流子濃度
檢測樣品：半導體4H-SiC
檢測項目：半導體不同層載流子濃度
方案概述：利用共聚焦拉曼進行分析時，不同的激發光可以檢測不同濃度的載流子信息，比如325 nm激光輻照可以檢測低濃度載流子信息；2、同樣是在325 nm激光輻照下，樣品內產生的光生載流子濃度會隨著離子改性層中鋁離子注入劑量的增加而減弱；3、這些都表明了共聚焦拉曼在載流子濃度表征方面的便利與優勢。
在對一系列具有不同載流子濃度的EPI層和基底層構成的4H-SiC樣品進行對比分析后，團隊人員發現，隨著探針由樣品內部基底層上移至樣品表面EPI層，對應的LOPC峰位出現一種趨勢：先平穩不動，隨后逐漸往低波數方向移動（藍移）（如下圖7所示）。我們從上述研究已經知道LOPC峰是對載流子濃度很敏感的峰，這一藍移現象意味著：從基底層到外延層，載流子存在濃度梯度。再通過對拉曼結果的計算分析，團隊人員就獲得了不同層對應的載流子濃度梯度。
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