上海奧法美嘉生物科技有限公司
兩款不同配方的金剛石CMP漿料的快速穩定性研究
檢測樣品：CMP漿料
檢測項目：穩定性
方案概述：本文利用LUM加速型穩定性/分散體分析儀對兩款不同配方的金剛石CMP漿料進行快速穩定性研究。樣品：編號DiamondCMP 1，Diamond CMP 2 儀器和測試條件：儀器型號：LUMiFuge®穩定性分析儀（加速型，8通道） 測試條件：2300g,20℃,2h
CMP漿料的快速穩定性研究
化學機械拋光，是半導體制造過程中重要的環節之一。CMP拋光漿料（Chemical Mechanical Slurry），又稱CMP漿料、拋光液、研磨液、研磨料，是CMP工藝的3大關鍵要素之一，其性能和相互匹配決定CMP能達到的表面平整水平。
按照磨粒的不同，CMP漿料主要分為二氧化硅漿料、氧化鈰漿料、氧化鋁漿料和納米金剛石漿料等幾大類。CMP漿料一般由超細固體粒子研磨劑、表面活性劑、穩定劑、氧化劑等組成，其中固體粒子提供研磨作用。CMP漿料需要良好的穩定性，放置長時間不分出清水，不淀底。由于芯片拋光漿料具有很高的技術要求，配方處于*保密狀態，我國只有少數企業掌握部分低端技術，且一直存在穩定性無法保證的難題，所以在芯片等高|端領域CMP漿料則一直依賴進口。
本文利用LUM加速型穩定性/分散體分析儀對兩款不同配方的金剛石CMP漿料進行快速穩定性研究。
n 樣品：編號DiamondCMP 1，Diamond CMP 2
n 儀器和測試條件：
儀器型號：LUMiFuge®穩定性分析儀（加速型，8通道）
測試條件：2300g,20℃,2h
n 測試結果：
1-圖譜描述：
1-TransmissionProfile of Diamond CMP 1
上圖1是CMP漿料1的透光率圖譜。這是一個典型的多分散沉降的過程，即顆粒按照不同大小的速度分別沉降。
2-Transmission Profile of Diamond CMP 2
上圖2是CMP漿料2的透光率圖譜。這是一個典型的區域沉降的過程，即顆粒按照整體下沉的狀態沉降。這種情況往往是由于顆粒聚集和相互作用，且形成一個封閉的網狀結構。
結論：不同配方的CMP漿料，顆粒的相互左右以及沉降過程可能*不一樣。
2-沉降追蹤：
3-界面位置隨時間變化曲線
上圖3是兩組CMP漿料的界面沉降位置隨時間的變化。可以發現CMP漿料1很快就沉降完，界面位置由樣品管頂部106mm刻度左右位置沉降到126mm刻度左右位置;而CMP漿料2到實驗結束，界面沉降到120mm刻度左右位置。
結論：CMP漿料2沉降更慢，穩定性更好。重復樣曲線疊加良好，重復性結果佳。
總結：利用LUM加速性穩定性/分散體分析儀，在極短的時間內，可對CMP漿料的沉降行為進行定性和定量表征。在相同條件下分析多達8-12個樣品。
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