RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測試系統

RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強大的軟件控制，可以用多種方式進行無接觸式測量，使得測試過程變得十分高效。系統采用一體化設計，結構緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺上轉動硅片，測試數據可即時顯示，并可對測試數據進行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測試結果精確且穩定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產及質檢等場所，友好的人機交互界面，使用相當便捷。


技術參數
■ 硅片規格：
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測試功能
厚度：單點及多點厚度
TTV：總厚度偏差
體電阻率：單點及多點體電阻率
■ 測試指標
厚度范圍：150～1000μm
測量誤差：≤±1.0μm
重復性：≤±0.20μm
TTV范圍：0.00μm～200.00μm
測量誤差：≤±0.50μm
重復性：≤±0.20μm
體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測量誤差：≤±3%
重復性：≤1.5%
■ 設備尺寸/重量：470mm（L）x420mm（W）x600mm（H）/20Kg
■ 測試環境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機