半導體晶圓冷卻工業冷水機丨光刻工藝冷卻
| 參考價 | ￥ 155000 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 邁浦特機械（四川）有限公司
- 品牌 邁浦特
- 型號
- 產地 江蘇省昆山市
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2025/7/22 9:38:01
- 訪問次數 10
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| 應用領域 | 食品/農產品,化工,生物產業,制藥/生物制藥 |
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超潔凈精準冷卻系統：實現 5℃-35℃寬域控溫（靜態精度 ±0.5℃）。針對晶圓制程的超潔凈要求，水路系統采用電解拋光 316L 不銹鋼流道（Ra≤0.2μm），配備四級超精過濾（1μm 預濾 + 0.1μm 精濾 + 0.01μm 超濾 + 離子交換），水質達到 SEMI F20 標準（微粒數≤1 個 / L，粒徑≥0.1μm；總有機碳≤5ppb；電阻率≥18MΩ?cm）。換熱器采用防結垢涂層（表面能≤20mN/m），結垢速率降低 90%（年維護次數≤1 次），相比傳統設備，光刻機 chuck 臺溫度穩定性從 ±0.2℃提升至 ±0.05℃，刻蝕機晶圓溫差從 ±0.3℃縮至 ±0.08℃，有效減少因溫度波動導致的制程缺陷（如線寬偏差、膜厚不均發生率≤0.1%）。
三、應用場景
光刻制程車間：用于 12 英寸硅晶圓 EUV 光刻冷卻，控制 chuck 臺溫度 18℃±0.05℃，使套刻誤差≤1nm，線寬粗糙度（LWR）≤0.3nm，滿足 7nm 制程要求，良率從 82% 提升至 95%。
刻蝕機冷卻系統：在硅晶圓等離子刻蝕中，提供 15℃±0.05℃冷卻，確保蝕刻深寬比（≥50:1）的均勻性偏差≤1%，側壁垂直度≥89.9°，適應 3D NAND 存儲芯片的高深寬比結構制造。
薄膜沉積設備：針對化合物半導體（GaN）外延片沉積冷卻，控制反應腔溫度 20℃±0.05℃，使外延層厚度偏差≤±0.5nm，晶體缺陷密度≤1×10?cm?2，滿足射頻器件的高性能需求。
離子注入機冷卻：用于晶圓離子注入過程冷卻，提供 10℃±0.05℃冷卻水溫，確保束流穩定性（偏差≤±0.1%），注入深度均勻性（偏差≤±0.5%），減少因溫度漂移導致的摻雜濃度偏差。
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