高壓隔相母線槽三相四線

母線作為供電主干線在電氣豎井內(nèi)沿墻垂直安裝一趟或多趟。母線橋和母線槽的區(qū)別：母線槽在制作和工藝上較母線橋都有一定的難度。四條矩形導電體之間用絕緣板隔開，絕緣等級好，內(nèi)部無對流空間，體積也小，價相對比國產(chǎn)母線槽貴一些作長距離供電用（美觀，方便），一般可用于戶內(nèi)，也可用于戶外。母線槽按照不同的絕緣方式可以分為高強度插接母線槽、密集絕緣插接母線槽以及空氣式插接母線槽三種形式:根據(jù)母線槽的結(jié)構(gòu)以及用途的差異又可以分為空氣絕緣、空氣附加絕緣、密集絕緣、耐火、樹脹絕緣以及滑觸式母線槽;按照母線槽外殼的制作材料又可以分為鋼外殼、鋁合金外殼以及鋼鋁混合外殼母線槽。

與母線槽之間應可靠固定，在母線槽在經(jīng)過建筑物的沉降縫或伸縮縫處應配置母線槽的軟連接單元，母線槽安裝完畢后應對穿越墻壁和樓板的空洞進行消防封堵。兩條水平相鄰安裝母線槽；母線槽水平敷設時支撐點間距不應大于2.5m。(如車間大跨度高強母線槽敷設，間距可大于6m。)母線槽水平安裝于支、吊架上時，應用水平固定壓板固定。母線槽連接點不應在穿 墻部位，母線槽安裝穿墻孔時不應有污水、雜物進入母線內(nèi)部。母線槽整體連接后，必須用萬用電表1Ω檔檢查接地電阻，阻值小于O.1Ω以確保接地要求。母線槽直線敷設長度超過60m時應設置膨脹(伸縮)節(jié)。適用于額定電壓3KV～35KV，額定工作電流250A—5000A的輸配電系統(tǒng)。適用于電廠、鋼鐵公司、水電站、火電站的高壓配電柜之間以及與發(fā)電機的輸配電線路中。

母線槽機械加工要求精度高、互換性強、裝拆方便，在安裝時要求能輕快地插人。母線槽的連接頭是關鍵。要求連接頭機械加工精度高、互換性好，母線槽隔相塊，必須滿足三個要求:①接觸電阻小;②能自動熱應力的損壞;③裝拆方便。其基本結(jié)構(gòu)為:若單面接觸時接觸面非常光滑，母線槽隔相塊標準，不壓麻點，采用單螺釘連接大容量母線槽采用并聯(lián)雙螺釘或并聯(lián)3螺釘，兩端均有蝶形墊圈鎖緊，固緊力矩均有規(guī)定，并應保持接觸壓力不變，以自動熱應力。母線接頭器在任意相鄰兩相隔板之間增加與母線側(cè)、蓋板相同材質(zhì)的散熱片，利用金屬材料的優(yōu)良散熱性能，使母線接頭器組件形成連通的良好散熱體，有效降低母線接頭溫升，提高母線接頭的安全運行系數(shù)；靈活多變的母線始端結(jié)構(gòu)，可滿足不同方向的始端轉(zhuǎn)接。母線槽接頭器，母線槽隔相塊這個在選擇使用

高壓隔相母線槽三相四線

結(jié)構(gòu)特點：1、外殼采用阻燃ABS材料，符合電器產(chǎn)品標準。2、滾輪采用高強度耐磨材料，側(cè)輪保護頸部不易磨斷。3、理論計算下滾輪轉(zhuǎn)速達600轉(zhuǎn)/分以上，故采用平面含油軸承，既防塵又耐磨，又不易卡死，活動靈活。4、產(chǎn)品中報警碳刷的彈力已比其它的略大，目的是犧牲少許有效磨損量,達到提前導通,防止誤報。5、音樂聲、發(fā)光，可外接交流接觸器。母線槽截面積小，節(jié)約空間，而電纜需要很大的安裝空間。母線槽可在離設備近的位置進行控制，而電纜必須在配電室控制。母線槽配有標準的安裝支架，離相封閉母線槽，無需其他支撐，電纜必須用單獨的橋架或管道進行敷設。母線槽壽命可達到50年，并可重復使用，而電纜壽命較短，不可以重復使用。母線槽的分接口可增加分接回路，而電纜必須在配電室進行敷設。安裝母線槽的保險費用比較低而電纜相對較高。

由于母線槽使用的場所不同，目前有空氣絕緣型、緊湊式絕緣型、加強型(空氣與緊湊式相結(jié)合雙層絕緣類型)、插座型和環(huán)氧絕緣型。空氣絕緣型照明母線槽的布線方便、控制范圍廣、調(diào)整靈活，解決了大型廠房照明集中、控制線路長、壓降損失大的缺點。加強型適用于一般大型廠房對設備的配電，它具有大跨度母線槽，不僅能減少安裝支點及母線槽聯(lián)結(jié)口，又能相應減少由此引發(fā)的故障點，尤其適用于沖擊電流較大的焊接車問及沖壓車問。插座式母線槽適用于小型精密設備車問、實驗室、展示中心等場所，可配上單相插座分線口，供作小型裝配流水線電源，安裝輕巧、美觀、使用方便。環(huán)氧絕緣型母線槽適用于需防腐及防水的場所。母線槽應以溫升為基礎選定其額定容量以達到安全運行、有足夠使用壽命和工作可靠的目的。導線的截面積不作為判斷母線槽的準則，母線槽似乎有足夠截面，但還可能有高溫升的危險。美國標準協(xié)會ANSI/ U L 857-1976要求環(huán)境溫度400 C時，規(guī)定550 C為允許溫升。當然，用較大截面可以降低些電壓降和溫升。安裝前必須測量每一單元母線槽相間、相地間、相零間、和零地間的絕緣電阻，且不應小于20MΩ。