LET-5000半導體測試系統是一款測量與分析功率半導體器件靜態參數的專用儀器，為所有類型的功率半導體器件提供靜態參數測量解決方案。
LET-5000半導體測試系統能在2200V（可擴展為8000V）和1000A （可擴展為6000A）的條件下實現精確測量、分析功率半導體器件的靜態參數。
LET-5000具有快脈沖能力，并具有優異的寬電壓和電流測量能力。
這些功能能夠對器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）進行測量，可以測試器件包括：MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。  
LET-5000由多個獨立的高精度源組成，每個功率源模塊上配備兩個獨立的模數(AD)轉換器支持2µs采樣率，每個模塊上的驅動能夠獨立精確控制，對有可能影響器件特性的關鍵計時進行精確監測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、漏電流測量能力等特點，支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。