E系列8000V功率半導體測試高壓程控電源具有輸出及測量電壓高(8000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~8000V，輸出及測量電流0~40mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。設備可應用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源、 防雷二極管耐壓測試、壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

產品特點

ms級上升沿和下降沿減小待測物加電時間降低發熱;

單臺蕞大8000V，蕞大電流40mA，蕞大功率320W，可拓展至10kV；

恒壓或恒流輸出，同步測試電壓或者電流；

0.1%的精度，高壓下納安級別的漏電流測試；

支持線性、對數及用戶自定義掃描；

恒壓限流，限流避免炸管

技術參數

型號                E800

蕞大輸出功率           320W,8000V/40mA  

輸出電壓建立時間典型值    ＜5ms

輸出接口             SHV

掃描                支持線性、對數及用戶自定義掃描 

通信接口             RS-232/以太網

保護                                       支持急停、高壓互鎖保護

觸發                                       支持trig IN及trig OUT

尺寸                                      19英寸，深度：520mm（不包含掛耳及急停按鈕）

應用領域：

用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測試、壓敏電阻耐壓測試等場合,其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現出覺對優勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于覺對優勢地位。此外，在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場，普賽斯儀表的產品也能夠滿足絕大多數應用場景的需求