硅壓阻擴散硅壓力傳感器采用半導體電阻應變片組成的惠斯通電橋作為力電轉換的測里電路，具有測精度高、功耗低、成本極低的特點。

      硅壓阻擴散硅壓力傳感器的上下層均為玻璃體，中間層為硅片。硅片中部會做成如同茶杯一樣的結構，一般業內稱之為硅杯，應力硅膜上部是一個空腔，這里的壓力環境決定了壓力變送器所測里的壓力類型是怎樣的。例如一般的表壓壓力變送器，在生產制作時會將這個空腔與壓力變送器外部環情連通，這時空腔的壓力其實就是外部真實環境的大氣壓。又例如壓力變送器，當我們希望壓力值是以一個標準大氣壓力值為參考壓力值時，這個空腔就會被制作成密封腔，人為地灌注一個標準大氣壓值。

      在應力硅膜與真空腔接的的一側通過光刻形成電阻應變計橋電路。當外界壓力通過壓力腔進入傳感器的硅杯時，應力硅膜在外力作用下會略微凸起，產生彈性變形。結果，四個電阻應變計的電阻將發生變化，破壞惠斯通電橋原有電路的平衡，電橋將輸出與壓力成比例的電壓信號。

      擴散硅壓力傳感器的壓力直接作用在傳感器的膜片(不銹鋼或陶瓷》上，使膜片產生與介質壓力成此例的微位移，改變傳感器的電值。電子電路用于檢測壓力的變化，轉換輸出與壓力相對應的標準測量信號。