簡單介紹：

CY-O1200X-Φ50-100×100-V-T是一款小型的1100℃Bridgman晶體生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環境下或密封石英坩堝環境下生長小尺寸的晶體。通常采用管式結構，為３個區域（加熱區、梯度區和冷卻區）。。

Bridgeman法晶體生長過程

把晶體生長的原料裝入合適的容器中，在具有單向溫度梯度的爐內進行生長。通常采用管式結構，為３個區域（加熱區、梯度區和冷卻區）。加熱區的溫度高于晶體的熔點，冷卻區低于晶體熔點，梯度區的溫度逐漸由加熱區溫度過渡到冷卻區溫度，形成一維的溫度梯度。首先將坩堝置于加熱區進行熔化，并在一定的過熱度下恒溫一段時間，獲得均勻的過熱熔體。然后通過爐體的運動或坩堝的移動使坩堝由加熱區穿過梯度區向冷卻區運動。坩堝進入梯度區后熔體發生定向冷卻，首先達到低于熔點溫度的部分發生結晶，并隨著坩堝的連續運動而冷卻，結晶界面沿著與其運動相反的方向定向生長，實現晶體生長過程的連續進行。

圖１　Bridgman法晶體生長的基本原理

（ａ）基本結構；            （ｂ）溫度分布。

Bridgman法晶體生長一般分為：

垂直Bridgman法

（圖１.所示）坩堝軸線與重力場方向平行，高溫區在上方，低溫區在下方，坩堝從上向下移動，實現晶體生長。該方法是*常見的Bridgman法，稱為垂直Bridgman法。

水平Bridgman法

水平Bridgman法其溫度梯度（坩堝軸線）方向垂直于重力場。垂直Bridgman法利于獲得圓周方向對稱的溫度場和對流模式，從而使所生長的晶體具有軸對稱的性質；而水平Bridgman法的控制系統相對簡單，并能夠在結晶界面前沿獲得較強的對流，進行晶體生長行為控制。同時，水平Bridgman法還有利于控制爐膛與坩堝之間的對流換熱，獲得更高的溫度梯度。此外，也有人采用坩堝軸線與重力場成一定角度的傾斜Bridgman法進行晶體生長。而垂直Bridgman法也可采用從上向下生長的方式。

技術參數