BA Gen4系列鍵合對準(zhǔn)機(jī)

一、在鍵合過程中精確對準(zhǔn)

鍵合對準(zhǔn)器 BA Gen4 Series 是專為手動對準(zhǔn)并鍵合兩個(gè) 200 毫米以下晶圓而設(shè)計(jì)的。選配掩模對準(zhǔn)器工具后還可使用各種功能。BA Gen4 Series 用于封裝、MEMS 生產(chǎn)以及需要亞微米級精確對準(zhǔn)和高重復(fù)性的應(yīng)用中。

二、亮點(diǎn)

的對準(zhǔn)精度

低成本

低成本轉(zhuǎn)換為其他應(yīng)用

三、鍵合對準(zhǔn)器 BA Gen4 Series 的晶圓對準(zhǔn)晶圓功能建立在 SUSS MicroTec 掩模對準(zhǔn)器中同樣強(qiáng)大的掩模對準(zhǔn)晶圓技術(shù)上。因此，BA Gen4 Series 不僅能高精度對準(zhǔn)，還提供兩襯底熔融鍵合的附加功能。SUSS MicroTecs 手動鍵合機(jī) SB6/8 2支持其他鍵合工藝。BA Gen4 Series 的專用固定系統(tǒng)確保對準(zhǔn)后的晶圓堆疊能夠可靠傳輸。

四、BA Gen4 Series 的手動操作性和簡單改裝性讓用戶能夠在各種研發(fā)過程靈活使用。可供選用的對準(zhǔn)方法覆蓋大部分工藝。通過自動化功能，例如在屏幕上顯示結(jié)構(gòu)和自動楔形誤差補(bǔ)償，支持用戶。

五、詳細(xì)情況 : 對準(zhǔn)技術(shù)

1、頂面對準(zhǔn)（TSA）

在光刻工藝中，只需對準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點(diǎn) 等），用頂部對準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記。 根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個(gè)現(xiàn)場照片 、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

掩模對準(zhǔn)器的對準(zhǔn)精度

清晰、強(qiáng)大的圖像識別功能，即使在對比度不理想的情況下

2、底面對準(zhǔn)（BSA）

應(yīng)用微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）、圓晶級封裝和三維集成的工藝，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要與正面結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)的晶圓背面結(jié)構(gòu)。 此時(shí)常使用光學(xué)背面對準(zhǔn)。 集成攝像機(jī)系統(tǒng)采集掩模結(jié)構(gòu)和晶片背面結(jié)構(gòu)并將它們相互對準(zhǔn)。 由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋，必須預(yù)先確定并存儲其位置。 這對整個(gè)對準(zhǔn)系統(tǒng)提出了特殊的要求。

我們的客戶可以從中得到以下好處

SUSS 掩模對準(zhǔn)器憑借其的機(jī)械精度和穩(wěn)定性帶來的準(zhǔn)確性

3、紅外對準(zhǔn)

多層晶圓堆疊被應(yīng)用在許多構(gòu)造工藝中。 用紅外照射可以識別并對準(zhǔn)通常埋在層之間的對準(zhǔn)標(biāo)記。

紅外光還可以根據(jù)這些埋入的標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)。 這需要使用能透過紅外線的材料，例如硅、III-V族半導(dǎo)體（如砷化鎵）以及臨時(shí)鍵合和鍵合分離工藝中所使用的粘著劑 通過個(gè)例研究檢查可行性。

為了盡可能擴(kuò)大紅外對準(zhǔn)的使用范圍，SUSS 掩模對準(zhǔn)器可以選配強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)

4、可供使用:

全自動：

MA300 Gen3

MA200 Gen3

MA100/150e Gen2

半自動：

MA/BA Gen4 Series

MA12 Gen3

手動：

MJB4

5、詳情：支持的粘合工藝

熱鍵合：熱鍵合是指兩個(gè)平面基板自發(fā)粘合。 該工藝包括沖洗拋光盤，使其具備高度親水性，然后使其相互接觸并在高溫下回火。 等離子體預(yù)處理工藝可使基板在室溫條件下鍵合。

自動化：

用于模式識別的軟件

輔助和自動對準(zhǔn)

自動楔形誤差補(bǔ)償

基于Windows的直觀界面，符合人體工程學(xué)，操作簡單易懂