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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>電量?jī)x表>靜電測(cè)試儀>ES622-50 ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

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ES622-50 ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 湖南格雷柏電子科技有限公司
  • 品牌 ESDEMC
  • 型號(hào) ES622-50
  • 產(chǎn)地 美國(guó)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2024/9/23 14:48:29
  • 訪問次數(shù) 1016

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      湖南格雷柏電子科技有限公司成立于2016年，主要代理銷售國(guó)內(nèi)外產(chǎn)品，致力于表面科學(xué)、電子電力、環(huán)境力學(xué)、化學(xué)分析、可靠性分析等領(lǐng)域檢測(cè)儀器儀表、設(shè)備和配件綜合服務(wù)供應(yīng)商。

       EMC電磁兼容和可靠性分析儀器、儀表、設(shè)備綜合服務(wù)供應(yīng)商，

       芯片級(jí)、板級(jí)、系統(tǒng)級(jí)ESD靜電抗擾和EMI電磁干擾測(cè)試方案定制商，

      行業(yè)涉及手機(jī)通信消費(fèi)電子、汽車電子、顯示行業(yè)、PCB板模組行業(yè)、芯片半導(dǎo)體行業(yè)，高校科研院所實(shí)驗(yàn)室，可為客戶提供定制解決方案。

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ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng) ，HBM/MM/Latch-up測(cè)試機(jī)， ESD/CDM/Latch-UP抗靜電能力測(cè)試系統(tǒng)， ES612A 靜電測(cè)試儀(HBM、HMM、MM)， ESD靜電和閂鎖測(cè)試系統(tǒng)， CDM充電器件模型測(cè)試儀， CDM測(cè)試機(jī)， 半導(dǎo)體器件靜電測(cè)試儀， 晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀，EMI近場(chǎng)測(cè)試掃描儀系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣

ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)（含HMM、HBM、MM外部模塊）介紹：

1.描述

ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)是一種IV曲線表征系統(tǒng)，旨在高功率時(shí)域中模擬ESD事件（TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖）及監(jiān)控設(shè)備（半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等）。ES622相比之前的ES620，規(guī)格更高，功能更多，擴(kuò)展能力更強(qiáng)，軟件體驗(yàn)更佳。

傳輸線脈沖(TLP)測(cè)試功能旨在滿足新的ANSI/ESD STM5.5.1測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，并將高質(zhì)量矩形脈沖應(yīng)用于被測(cè)器件并記錄器件兩端的電壓和電流。可繪出脈沖IV曲線，允許用戶在納秒級(jí)時(shí)間窗口內(nèi)表征器件的瞬態(tài)響應(yīng)。設(shè)備集成了優(yōu)良的自動(dòng)器件故障檢測(cè)方法，例如：直流抽檢（V或I）、靜態(tài)IV曲線、熔斷、擊穿和偏置源波動(dòng)。

VF-TLP測(cè)試旨在模擬CDM速度ESD事件，并在高速（例如<100ps上升時(shí)間）ESD瞬態(tài)下捕獲DUT兩端的電壓和通過 DUT的電流。這允許用戶研究器件的響應(yīng)速度和峰值鉗位電壓。

人體金屬模型(HMM)測(cè)試功能是IEC61000-4-2系統(tǒng)級(jí)ESD的替代測(cè)試方法。它為低歐姆設(shè)備提供了理想標(biāo)準(zhǔn)波形的等效波形，并消除了組件或晶圓級(jí)測(cè)試的許多IEC槍測(cè)試問題，例如可重復(fù)性、槍尖不精確、阻抗不匹配、來自非屏蔽繼電器的EMI干擾以及具有大接地平面和耦合平面的特殊裝置等。

2.特點(diǎn)

可靈活配置的TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

超緊湊的設(shè)計(jì)系統(tǒng)

具有多線程處理能力的超快測(cè)試速度

提供20A、40A、50A、100A、125A、150A型號(hào)（可定制）

可用軟件提供高級(jí)系統(tǒng)和附件監(jiān)控和控制（開關(guān)壽命監(jiān)視器、E-Cal 模塊、示波器衰減調(diào)整）

測(cè)試功能可通過VF-TLP、HMM、HBM、MM選項(xiàng)進(jìn)行擴(kuò)展

多種故障自動(dòng)檢測(cè)方式（直流抽檢（V或I）或IV掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化）

軟件控制脈沖：突發(fā)、連續(xù)、IV曲線表征

上升時(shí)間選項(xiàng)從40ps到1200ns（取決于型號(hào)，可定制）

脈沖寬度選項(xiàng)從1ns到2000ns（取決于型號(hào)，可定制）

注意：EOS系列支持更長(zhǎng)的脈沖應(yīng)用，脈沖寬度從幾百ns到幾ms

3.應(yīng)用

ESD性能表征

晶圓/封裝級(jí)ESD測(cè)試

系統(tǒng)/電路模塊ESD測(cè)試

安全操作區(qū)（SOA）測(cè)試

充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試

太陽能電池板二極管特性

觸摸屏ITO微帶線熔斷和擊穿測(cè)試

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：

TLP/VF-TLP選項(xiàng)符合ANSI/ESD STM 5.5.1標(biāo)準(zhǔn)

HMM選項(xiàng)符合ANSI/ESD SP5.6標(biāo)準(zhǔn)

HBM選項(xiàng)符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標(biāo)準(zhǔn)

MM選項(xiàng)符合ANSI/ESDA SP5.2標(biāo)準(zhǔn)

4.規(guī)格

ES622系列TLP單元規(guī)格表

參數(shù)

ES622-20

ES622-50

ES622-100
           

ES622-125

ES622-150

單位

可根據(jù)要求提供特殊型號(hào)，例如 40、100、200+ A

開路輸出電壓

±0.5~1000

±0.5~2500

±0.5~5000

±0.5~6250

±0.5~7500

V


開路最小電壓步長(zhǎng)

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

V


短路輸出電流

±0.01~20

± 0.01~50

±0.01~100

±0.01~125

±0.01~150

A


電壓精度

精度可在1–10 %之間調(diào)節(jié)

%

速度/精度軟件可調(diào)

最快上升時(shí)間*         （默認(rèn)20-80%）

≤50

≤200

≤300

≤300

≤300

ps

特殊配置可提供10-90%最快至40 ps 的上升時(shí)間

上升時(shí)間范圍

0.05~1200

0.2~1200

0.3~1200

0.3~1200

0.3~1200

ns


上升時(shí)間選項(xiàng)

無限的可編程或手動(dòng)選項(xiàng)


可定制

脈寬   （默認(rèn)50-50%）

100±1

ns

默認(rèn)

最小脈寬

0.5

1

5

5

5

ns


最大脈寬

2000

2000

1500

1500

1000

ns


脈寬選項(xiàng)

無限的可編程或手動(dòng)選項(xiàng)


可定制

測(cè)試速度

通常0.2~2

s

因硬件設(shè)置而異

尺寸

347WX300DX145H

mm

可能因定制而改變

重量

8

8

8

10

12

kg


支持的示波器

Tektronix，Agilent，LeCroy，Rigol的主要系列

其他可根據(jù)要求支持

支持 的SMU

Keithley 24xx/26xx系列SMU

其他可根據(jù)要求支持

ES62X-HMM2外置人體金屬模型模塊（短路DUT，符合ANSI/ESD SP5.6的100Ω HMM）

參數(shù)

ES620-25

ES620-50

ES622-100

ES620-125

ES620-150

單位

備注

IEC等效等級(jí)

6

12

24

30

36

kV


HMM 峰值電流

22.5

45

90

112.5

135

A

3.75A每1kV≤±10%


IEC 61000-4-2 (R=330?, C=150pF)

HMM 電流 @ 30ns

12

24

48

60

72

A

≤±10% (優(yōu)于±30%IEC)

HMM 電流 @ 60ns

6

12

24

30

36

A

≤±10% (優(yōu)于±30%IEC)

ES62X-HBM2外置人體模型模塊(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 R=1.5k?, C=100pF)

參數(shù)

ES620-25

ES620-50

ES622-100

ES620-125

ES620-150

單位

備注

最大 HBM測(cè)試等級(jí)

±2

±4

±8

±10

±12

kV


最小HBM 測(cè)試等級(jí)


± 50

V


最小測(cè)試步長(zhǎng)


1

V

通過USB，用PCB控制

電荷泄放電阻


10K

Ohm


電壓輸出靈敏度


1/201

V/V

注入50 Ohm時(shí)誤差小于± 3%

電流傳感器靈敏度


1

V/A

注入50 Ohm時(shí)誤差小于± 3%

測(cè)試速度


>=1

S

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，最大1P/s

物理尺寸


90X90X130

mm


5.訂購信息

編號(hào)

部件型號(hào)

描述

TLP IV曲線系統(tǒng)基礎(chǔ)配置

1.1

ES622-20

ES622 TLP脈 IV曲線系統(tǒng)，20A基礎(chǔ)單元

1.2

ES622-25

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，25A基礎(chǔ)單元

1.3

ES622-40

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，40A基礎(chǔ)單元

1.4

ES622-50

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，50A基礎(chǔ)單元

1.5

ES622-100

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，100A基礎(chǔ)單元

1.6

ES622-125

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，125A基礎(chǔ)單元

1.7

ES622-150

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)，150A基礎(chǔ)單元

上升時(shí)間選項(xiàng) (僅作為案例配置展示，可供定制)

2.1

ES62x-PRT4

可編程的4個(gè)脈沖上升時(shí)間過濾器模塊
   (默認(rèn):   內(nèi)置1ns、5ns、10ns可定制)

2.2

ES62x-PRT10

可編程的10個(gè)脈沖上升時(shí)間過濾器模塊
     (默認(rèn):   內(nèi)置0.5ns、1ns、2ns、5ns、10ns、20ns可定制)

2.3

ES62x-ERTF

手動(dòng)外部上升時(shí)間過濾器

脈寬選項(xiàng)(僅作為案例配置展示，可供定制)

3.1

ES620-PPL4

可編程的4個(gè)內(nèi)置脈寬模塊

3.2

ES620-PPL10

可編程的10個(gè)內(nèi)置脈寬模塊

3.3

ES620-MPLEx

手動(dòng)脈寬外部變動(dòng)選項(xiàng)



外置脈沖模塊選項(xiàng)

4.1

ES62X-HBM2

人體模型 (HBM) ESD脈沖模塊及測(cè)試設(shè)置選項(xiàng)


(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001脈沖測(cè)試及IV測(cè)量)

4.2

ES62X-HMM2

人體金屬模型(HMM) ESD脈沖模塊及測(cè)試設(shè)置選項(xiàng)


(IEC61000-4-2脈沖測(cè)試及IV測(cè)量)

4.3

ES62X-MM2

機(jī)器模型(MM) ESD脈沖模塊及測(cè)試設(shè)置選項(xiàng)


(ANSI/ESDA SP5.2脈沖測(cè)試及IV測(cè)量)

漏電或直流IV測(cè)量選項(xiàng)

5.1

ES62X-SSM

系統(tǒng)開關(guān)模塊(在脈沖及直流測(cè)試間切換)

5.2

ES62X-STP1

SMU 瞬態(tài)保護(hù)器

直流偏置測(cè)量選項(xiàng)

6.1

BT-100V2A6G

TLP測(cè)試偏置三通，10kHz – 6GHz，100V，2A DC/10A脈沖電流

6.2

BT-100V4A3G

TLP測(cè)試偏置三通，10kHz – 3GHz，100V，4A DC/20A脈沖電流

6.3

BT-450V2A5G

TLP測(cè)試偏置三通，10kHz – 5GHz，450V，2A DC/10A脈沖電流

ESD 注入及IV曲線測(cè)量選項(xiàng)

7.1

ES62X-PSTT

用于封裝級(jí)標(biāo)準(zhǔn)TLP測(cè)試的TDR-O測(cè)試裝置

7.2

ES62X-PVFTT

用于封裝級(jí)VF-TLP測(cè)試的TDR-S測(cè)試裝置

7.3

ES62X-CMPS

簡(jiǎn)易式手動(dòng)探針臺(tái)，配有可靈活移動(dòng)的真空泵和顯微鏡

7.4

ES62X-WSTT

用于晶圓級(jí)標(biāo)準(zhǔn)TLP測(cè)試的TDR-O測(cè)試裝置，含探針座

7.5

ES62X-WVFTT

用于晶圓級(jí)VF-TLP測(cè)試的TDR-S測(cè)試裝置，含探針座

與TLP系統(tǒng)匹配的示波器

8.1

MISC-OSC1

數(shù)字示波器( 1GHz，5Gs，4通道，推薦用于標(biāo)準(zhǔn)TLP測(cè)試)

8.2

MISC-OSC6

數(shù)字示波器( 6GHz，5Gs，4通道，推薦用于VF-TLP測(cè)試)


許多配置可根據(jù)客戶需求定制。



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