低損傷蝕刻

由于離子能量低且離子能量分布窄，因此可以使用SENTECH電感耦合等離子體（ICP）蝕刻工具進(jìn)行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

簡單的高速率蝕刻

使用室溫交替工藝或低溫工藝實(shí)現(xiàn)光滑側(cè)壁，可以很容易地使用高縱橫比的 MEMS 的 Si 進(jìn)行高速等離子體蝕刻。

SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH平面三重螺旋天線（PTSA）等離子體源是一種等離子體處理系統(tǒng)功能。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器、量子點(diǎn)和 HEMT 的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點(diǎn)火性能，適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

動(dòng)態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動(dòng)態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。化合物半導(dǎo)體中的凹槽和臺面蝕刻等應(yīng)用展示了最佳的工藝控制，這對于高器件性能是必要的。