低待機功耗：OB2268/OB2269通過特別的低功 耗間歇工作模式設(shè)計不僅可以讓整個系統(tǒng)在空 載的狀態(tài)下輕易達(dá)到國際能源機構(gòu)最新的推薦 標(biāo)準(zhǔn)，而且允許系統(tǒng)在較輕負(fù)載 (約1/30滿載 以下) 的情況下同樣具有超低耗的性能。 ▲無噪聲工作：使用OB2268/OB2269設(shè)計的電源 無論在空載，輕載和滿載的情況下都不會產(chǎn)生音 頻噪聲。優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作。 ▲ 更低啟動電流：OB2268/OB2269 VIN/VDD啟動電流低至4uA，可有效地減少系統(tǒng) 啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動時間。 ▲ 更低工作電流：OB2268/OB2269的工作電流約為2.3mA，可有效降低系統(tǒng)的損耗，提高系統(tǒng)的效率。 ▲ 內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置前沿消隱（LEB），可以為系統(tǒng)節(jié)省了一個外部的R-C網(wǎng)絡(luò)，降低系統(tǒng)成本。 ▲ 內(nèi)置OCP補償：OB2268/OB2269內(nèi)置了OCP補償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的OCP曲線趨向平坦，提高系統(tǒng)的性價比。 ▲ 完善的保護(hù)功能：OB2268/OB2269集成了較完善的保護(hù)功能模塊。OVP，UVLO，OCP，恒定的 OPP和外部可調(diào)節(jié)的OTP功能可以使系統(tǒng)設(shè)計簡潔可靠，同時滿足安規(guī)的要求。 ▲ MOSFET軟驅(qū)動：可有效的改善系統(tǒng)的EMI。 ▲ 較少的外圍器件：OB2268/OB2269外圍比較簡單，可有效提高系統(tǒng)的功率密度，降低系統(tǒng)的成本。 ▲ OB2269 優(yōu)良的 EMI 特性：OB2269 內(nèi)置的頻率抖動設(shè)計可以很有效的改善系統(tǒng)的EMI特性，同時可以降低系統(tǒng)的EMI成本。