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徠卡顯微系統(上海)貿易有限公司

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GeminiSEM 掃描電子顯微鏡SEM

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導體材料研究分析設備的研發和應用。專業的團隊,專精的服務,提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理,為高校、企業科研工作者提供專業的分析解決方案。以專業技能為導向,用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業的技術工程師和科研工作者進行現場演示和技術交流,打消顧慮,彼此協作,為我國的科研領域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器。

客戶至上的服務理念,以人為本的企業文化,我們始終為用戶提供專業的服務!

合作丨共贏,選擇我們,選擇未來!

 

半導體材料分析,材料刻蝕

產地類別 國產 應用領域 環保,化工

掃描電子顯微鏡SEM

蔡司GeminiSEM系列高對比度、低電壓成像的場發射掃描電子顯微鏡

  具有出色的探測效率,能夠輕松地實現亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細節信息靈敏度讓您在對任意樣品進行成像和分析時都具備更佳的靈活性,為您在材料科學研究、生命科學研究、工業實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像,提供靈活、可靠的場發射掃描電子顯微鏡技術和方案。

  運用GeminiSEM系列產品,您可輕松獲取真實世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結果

  GeminiSEM 500 具有出色的分辨率,在較低的加速電壓下仍可呈現給您更強的信號和更豐富的細節信息,其創新設計的NanoVP可變壓力模式,甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺;

  GeminiSEM 450 具有出色的易用性設計、更快的響應和更高的表面靈敏度,使其能快速、靈活、可靠地對樣品進行表面成像和分析,充當您的得力助手;

  GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野,可方便地選取適合樣品的真空度等環境參數,使FESEM初學者也能快速掌握;

 

  • 蔡司顯微鏡

      更強的信號,更豐富的細節

      GeminiSEM 500 為您呈現任意樣品表面更強的信號和更豐富的細節信息,尤其在低的加速電壓下,在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。

      經優化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號,助您快速地獲取清晰的圖像,并使樣品損傷降至更低;

      在低電壓下擁有更高的信噪比和更高的襯度,二次電子圖像分辨率1 kV達0.9nm,500 V達1.0 nm,無需樣品臺減速即可進行高質量的低電壓成像,為您呈現任意樣品在納米尺度上更豐富的細節信息;

      應用樣品臺減速技術-(Tandem decel),可在1 kV下獲得高達0.8nm二次電子圖像分辨率;

      創新設計的可變壓力模式-NanoVP技術,讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。

  • 蔡司顯微鏡

      更高的速度與靈敏度,更好的成像和分析

      GeminiSEM 450更快的響應和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進行表面成像和分析,簡便、快速地進行EDS能譜和EBSD等分析,同時保持出色的空間分辨率,充當您的得力助手。

      在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像,在低電壓條件下工作時更為優異;

      可快速地對樣品進行大范圍及高質量成像;

      經優化的電子光學鏡筒,減少了工作過程中進行重新校準的復雜流程,節省成像時間,提高工作效率;

      無論是不導電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品,無論是高真空或是可變壓力模式,均可實現快速和高質量的成像和分析;

  • 蔡司顯微鏡

      更靈活的成像方式

      無論是資深用戶還是初學者,GeminiSEM 300將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進行極大視野范圍成像的樂趣,并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現。

      得益于高效的信號采集系統和優異的分辨率性能,可實現快速、高質量、無畸變的大范圍成像;

      創新設計的高分辨率電子槍模式,為對磁性樣品、不導電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;

      蔡司獨樹一幟的鏡筒內能量選擇背散射探測器,在低電壓下也可輕松地獲得高質量的樣品材料襯度圖像;

      NanoVP技術讓您可以使用鏡筒內Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導電樣品進行高靈敏度、高分辨成像。

基本規格蔡司 GeminiSEM 500 蔡司 GeminiSEM 450蔡司 GeminiSEM 300

熱場發射電子槍,穩定性優于0.2 %/h
加速電壓0.02 - 30 kV
探針電流3 pA - 20 nA3 pA - 40 nA3 pA - 20 nA
(100 nA配置可選)(100 nA或300 nA配置可選)(100 nA配置可選)
存儲分辨率最高達32k × 24k 像素
放大倍率50 – 2,000,00012 – 2,000,00012 – 2,000,000
標配探測器鏡筒內Inlens二次電子探測器
樣品室內的Everhart Thornley二次電子探測器

可選配的

項目

鏡筒內能量選擇背散射探測器
-角度選擇背散射探測器角度選擇背散射探測器
環形STEM探測器(aSTEM 4)
EDS能譜儀
EBSD探測器(背散射電子衍射)
NanoVP可變壓力模式
高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中)
局部電荷中和器
可訂制特殊功能樣品臺
環形背散射電子探測器
陰極射線熒光探測器




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