主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 門(mén)極觸發(fā)電壓/門(mén)極觸發(fā)電流測(cè)試單元IGT/VGT
1.陽(yáng)極電壓：12V;
2.陽(yáng)極串聯(lián)電阻：6Ω;
3.門(mén)極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;
4.門(mén)極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測(cè)試單元IH
1. 陽(yáng)極電壓：12V;
2.預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10A,正弦衰減波；
3.維持電流： 2～450mA ±5%±1 mA;
4.測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?br/>2.3 通態(tài)壓降測(cè)試單元VTM
1.平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
2.模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
3. 電流上升沿時(shí)間：≥5ms；
4. 通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；
5. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?br/>2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測(cè)試單元
1.阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；
模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV
2. 正反向自動(dòng)測(cè)試：
3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：±5%±1 mA；
4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值；在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過(guò)所 設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)。
5. 測(cè)試頻率： 50HZ
2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt
1.電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；
2. 電壓過(guò)沖范圍：＜50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；
2.6 擎住電流IL：100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動(dòng)加壓方式
三、功能概述
3-1測(cè)試功能范圍
該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：
1.門(mén)極參數(shù)測(cè)試：VGT、IGT
2.維持電流測(cè)試：IH
3.阻斷參數(shù)測(cè)試：本測(cè)試單元可用以測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。
4.壓降單元
本測(cè)試單元用來(lái)測(cè)量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數(shù)。
5、電壓上升率參數(shù)測(cè)試：dv/dt
6、擎住電流IL
7、門(mén)極電阻：適合門(mén)極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測(cè)試
3-2、測(cè)試方法和測(cè)試準(zhǔn)則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測(cè)試的具體規(guī)定。