可控硅通態壓降測試臺
- 公司名稱 西安智盈電氣科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地 西安市西咸新區中興深藍科技產業園
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2022/11/21 16:09:07
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IGBT測試儀，靜態參數測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態參數（開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg /
| 價格區間 | 10萬-30萬 | 應用領域 | 電氣 |
|---|
該套測試設備主要有以下幾個單元組成：
1)門極觸發參數測試單元
2)維持電流測試單元
3)阻斷參數測試單元
4)通態壓降參數測試單元
5)電壓上升率參數測試單元
6)擎住電流
7)門極電阻
8)計算機控制系統
9)合格證標簽打印
10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
二、技術條件
主要技術指標：
2.1 門極觸發電壓/門極觸發電流測試單元IGT/VGT
1.陽極電壓：12V;
2.陽極串聯電阻：6Ω;
3.門極觸發電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;
4.門極觸發電流：2～450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓：12V;
2.預導通電流： ＞10A,正弦衰減波；
3.維持電流： 2～450mA ±5%±1 mA;
4.測試頻率：單次；
2.3 通態壓降測試單元VTM
1.平板器件通態電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
2.模塊器件通態電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
3. 電流上升沿時間：≥5ms；
4. 通態壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；
5. 測試頻率：單次；
2.4 斷態電壓/斷態漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1.阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；
模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV
2. 正反向自動測試：
3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：±5%±1 mA；
4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所 設定的范圍則自動保護。
5. 測試頻率： 50HZ
2.5 斷態電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1.電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；
2. 電壓過沖范圍：＜50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；
2.6 擎住電流IL：100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式
三、功能概述
3-1測試功能范圍
該套測試設備主要可測試以下參數：
1.門極參數測試：VGT、IGT
2.維持電流測試：IH
3.阻斷參數測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。
4.壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。
5、電壓上升率參數測試：dv/dt
6、擎住電流IL
7、門極電阻：適合門極觸發電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規定。
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