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1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
- 公司名稱 筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/12/6 7:00:05
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公司簡(jiǎn)介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年，是一家被上海市評(píng)為高新技術(shù)企業(yè)和擁有“上海市專精特新企業(yè)稱號(hào)”的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項(xiàng)目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m²的辦公區(qū)域，建有500平優(yōu)良的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室，為國(guó)內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營(yíng)光學(xué)元件、激光光學(xué)測(cè)試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。十年來(lái)，依托專業(yè)、強(qiáng)大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團(tuán)隊(duì)，筱曉的業(yè)務(wù)范圍逐年增長(zhǎng)。目前業(yè)務(wù)覆蓋國(guó)內(nèi)外各有名高校、*科研機(jī)構(gòu)及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團(tuán)隊(duì)以及專業(yè)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，奠定了我們?cè)谠O(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
公司自成立以來(lái)，始終遵循誠(chéng)信發(fā)展、探索創(chuàng)新、務(wù)實(shí)致遠(yuǎn)、以質(zhì)取勝的服務(wù)理念，并在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和銷售中貫徹到底。公司自始至終秉承著國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量安全保障。多年來(lái)，公司一直致力于光學(xué)設(shè)備的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，以及知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。我們將不斷完善管理機(jī)制和技術(shù)水平，為客戶提供更安全環(huán)保的產(chǎn)品以及更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
應(yīng)用領(lǐng)域
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醫(yī)學(xué)醫(yī)用相關(guān)產(chǎn)品分類：Wasach OCT光柵、 SLD 二極管、高速掃頻激光器、SOA 放大器、光纖延遲線，OCT光譜分析儀 ......
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光纖通訊與傳感相關(guān)產(chǎn)品分類： 波分復(fù)用器、光纖放大器、高速光電探測(cè)器、鎖頻半導(dǎo)體可調(diào)諧激光器、強(qiáng)度/相位調(diào)制器、特種光纖、超窄線寬穩(wěn)頻激光器模塊、光通訊DFB激光器......
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微波光子相關(guān)產(chǎn)品分類：20G信號(hào)發(fā)生器、高速電光調(diào)制器、高速光電探測(cè)器、高頻相位/強(qiáng)度電光調(diào)制器、高速示波器 、任意波形發(fā)生器...... |
氣體分析相關(guān)產(chǎn)品分類：?jiǎn)文Ｂ暪庹{(diào)制器 、超高反射率反射鏡、光電探測(cè)器模塊 、小型化氣室、中紅外氣體吸收池、激光氣體分析綜合控制器、DFB激光二極管、中紅外超連續(xù)譜光源、高精度波長(zhǎng)計(jì)......
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量子計(jì)算相關(guān)產(chǎn)品分類： 外腔半導(dǎo)體激光器、空間光隔離器 、電光調(diào)制器、高精度波長(zhǎng)計(jì) 、高精度光譜分析儀......
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激光雷達(dá)相關(guān)產(chǎn)品分類：窄線寬穩(wěn)頻激光器模塊、FMCW DFB激光器、ns級(jí)超快光開(kāi)關(guān)，光電平衡探測(cè)器......
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半導(dǎo)體分析相關(guān)產(chǎn)品分類：激光光束分析儀、激光芯片LIV測(cè)試系統(tǒng)、近紅外相機(jī)、六軸位移臺(tái)、光束勻化...... |
機(jī)械視覺(jué)相關(guān)產(chǎn)品分類：經(jīng)濟(jì)型熒光近紅外數(shù)字相機(jī)、低成本近紅外InGaAs銦鎵砷相機(jī)，中紅外高性能非制冷相機(jī)、UV CMOS/CCD紫外波段相機(jī)、 SWIR鏡頭(C-mount）...... |
優(yōu)良光學(xué)實(shí)驗(yàn)室
半導(dǎo)體綜合分析實(shí)驗(yàn)室：半導(dǎo)體激光器光譜分析，功率測(cè)試，光束質(zhì)量測(cè)試，線寬測(cè)試，各種光無(wú)源器件的測(cè)試，光纖放大器等等近紅外產(chǎn)品的測(cè)試。目前我們?cè)诎雽?dǎo)體測(cè)試，TDLAS激光法氣體分析檢測(cè)，CRDS腔衰蕩系統(tǒng),DTS高溫傳感以及DVS等項(xiàng)目研究開(kāi)發(fā)領(lǐng)域有著深厚的積累，能夠?yàn)榭蛻籼峁└泳珳?zhǔn)的器件方案支持。
未來(lái)前沿光學(xué)綜合實(shí)驗(yàn)室：負(fù)責(zé)公司未來(lái)前沿科學(xué)的相關(guān)應(yīng)用支持。其中包括：自適應(yīng)光學(xué)，量子計(jì)算，微波光子，太赫茲，微納光學(xué)等技術(shù)學(xué)習(xí)與推廣應(yīng)用，
自適應(yīng)光學(xué)：波前分析儀，可變形鏡，近紅外CCD相機(jī)；
微波光子：是德科技20G矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，25G信號(hào)發(fā)生器，20G高速調(diào)制器，22G光電接收器，光譜儀AQ6375B、771B-MIR波長(zhǎng)計(jì)等測(cè)量設(shè)備;
太赫茲：300G太赫茲發(fā)生器，太赫茲功率計(jì)，太赫茲時(shí)域光譜儀分析儀；
微納光學(xué)：微納光纖制作平臺(tái)，光學(xué)顯微鏡，2-4.5um超連續(xù)譜光源；
量子計(jì)算：（在建中）
高新技術(shù)企業(yè)證書(shū)
各種激光器光源,光纖光柵,光譜儀中紅外相機(jī),光纖放大器,光學(xué)晶體窗片透鏡反射鏡,準(zhǔn)直器光纖跳線,偏振器件,濾波器濾光器標(biāo)準(zhǔn)具,延遲線光衰減器,光束整形器太赫茲晶體等
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
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1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。
特性參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 （除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃） | 參數(shù)值 | 單 位 | ||
最小值 | 最大值 | |||||
響應(yīng)度(交流)(象限) | Spi | λ=1.064μm VR=135 V | 脈寬20 ns、Pin=2 mW | 0.25 | — | A/W |
響應(yīng)度(直流)(象限) | Rei | 直流、Pin=1μw | 0.30 | — | ||
響應(yīng)度變化量(直流) (象限)a 響應(yīng)度變化量(交流) (象限)a | ΔRei | TA=-45 ℃±2 ℃ | — | 50 | % | |
暗電流(象限) | IDi | VR=135V Pin=0μw | TA=22℃±3℃ | — | 1 | μA |
TA=70℃±3℃ | — | 10 | ||||
暗電流(環(huán)) | ID | TA=22℃±3℃ | — | 10 | ||
TA=70℃±3℃ | — | 100 | ||||
結(jié)電容（象限） | Cji | VR=135V，f=1MHz | — | 15 | pF | |
光敏面直徑 | φ | 10 | 16 | mm | ||
等效噪聲功率 | NEPi | λ=1.064 μm，VR=135 V ,脈寬20 ns | — | 5×10-12 | W/HZ1/2 | |
擊穿電壓（象限、環(huán)） | VBR | IR=10μA | 200 | — | V | |
象元間靈敏度非均勻性 | Rf | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元內(nèi)靈敏度非均勻性 | Rfn | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元間竄擾因子 | SLi | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
● 標(biāo)低暗電流
● 高均勻性、高對(duì)稱性
● 高可靠性
● 盲區(qū)小
外形結(jié)構(gòu)
TO型氣密性封裝。外形結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1，外形尺寸見(jiàn)表1。
表1、外形尺寸（單位為毫米）
尺寸符號(hào) | φD1 | ΦD2 | ΦD3 | ΦD4 | ΦD5 | Φd | A | L1 | L2 | L3 | e |
最小值 | 30.55 | 27.80 | 3.00 | 27.915 | 22.60 | 0.98 | 7.03 | 3.02 | 1.85 | 2.70 | 18.00 |
最大值 | 30.65 | 28.00 | 3.06 | 27.94 | 23.40 | 1.02 | 7.20 | 3.10 | 1.95 | 3.00 | 18.05 |
引出端排列
器件的引出端排列見(jiàn)圖2，引出端功能應(yīng)符合表2的規(guī)定。
表2、引出端功能表
管腳 | 功能 | 電壓極性 |
1 | 象限1 | 正 |
2 | 公共P極 | 負(fù) |
3 | 象限4 | 正 |
4 | 環(huán)極 | 正 |
5 | 象限3 | 正 |
6 | 殼體 | 地 |
7 | 象限2 | 正 |
● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置
● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
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