一·金屬晶單晶制備用晶體生長爐長晶爐設備用途

　　主要用于LED行業的寶石類晶體制備，氟化物類晶體生長，燒結，退火等處理

二·金屬晶單晶制備用晶體生長爐長晶爐產品特點

1·模塊化設計，結構緊湊，外形美觀，

2·采用底部電動升降和鐘罩式爐體升降，結構精巧，方便，移動平穩裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式，自動化程度高，操作直觀，功能強大。

4· 在觸摸屏內可預存幾十種燒結工藝，一次編輯，以后直接調用使用，省去多次編輯工藝的麻煩，避免輸入錯誤，燒壞產品。

5· 燒結的溫度，真空度，等數據可實時記錄，也可隨時啟動停止記錄，減少無用數據，數據可查詢，可導出下載。

6· 燒結溫度高，用石墨發熱體，可達1600℃，

三·設備參數

1·設備總功率：≤15Kw；電源電壓：3相380V,50Hz

2·溫度：1650℃ 加熱功率 ≤8Kw 單相220V

3·額定溫度：室溫~1600℃

4. 工作區尺寸：Ф60×100mm（直徑×高，）

5·爐體內徑Ф300Ф500mm（暫定）

6.測溫系統：                   鎢萊熱電偶

7.控溫精度：                   ±0.1℃

8.加熱區：                    Ф80×120mm

9.坩堝下降速度：              慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）

快速升降50-200mm/min（帶手動升降）

  位移行程 ≤150mm

10.中心軸有效行程/載重：      ≤300mm/20kg

11.爐內充氣壓力：             ≤0.05MPa

四、結構說明

1、爐蓋：采用雙層水夾層結構，內外壁為304不銹鋼，內外壁與爐體上下法蘭組焊成整體結構，爐蓋設有鎖緊裝置。內外壁都做精密拋光處理，爐蓋上留有充放氣閥，壓力表等標準接口。

2、爐體機構：同樣采用外壁為304不銹鋼材料雙層水夾層結構，內、外壁作精密拋光處理，爐體與下法蘭組成筒型結構，法蘭平面開設密封槽。采用“O”形圈真空密封，并設水冷裝置（防止因溫度過高使“O”形圈老化。側部設計有加熱電極以及測溫裝置接口，還配置有標準KF真空接口。

3、爐底及升降裝料機構：爐底與爐體采用“O”圈真空密封，并設水冷裝置，真空系統及坩堝電動伺服絲桿升降，爐底與爐體的聯接均采用緊固壓緊密封。爐底法蘭整個安裝在一線性模組上，可整體升降，用于裝卸材料使用。爐底配置晶體生長用線性模組，由伺服電機帶動，用于坩堝升降，做晶體生長使用。升降桿與爐底采用焊接波紋管密封，防止行走過程真空的泄漏，保證密封的可靠性。

4、發熱元件及隔熱屏：加熱采用高純石墨作發熱體，純度高，無揮發，有效保證爐腔內的清潔度。隔熱材料采用石墨成型纖維軟氈，保溫效果好，耐沖擊性好。整個隔熱屏采用金屬框架固定，便于安裝與維護。溫度控制采用一支鎢錸熱電偶全稱控溫測溫使用。同時，在隔熱屏外設置一支監控熱電偶，監控隔熱屏外溫度，提高設備的安全使用性能效率高耐沖擊性強發熱體與爐體電極聯接，水冷電極安裝在電爐側部，并設冷卻水通水冷卻。

5、真空系統：由TRP-16機械泵,和高真空氣動擋板組成，并配有真空壓力表、充氣閥、放氣閥。真空管道與泵聯接采用快速接頭聯接（減緩震動），真空測量選用具有數字顯示功能的復合真空計執行。

6、溫控系統：控制加熱系統有可控硅調壓器+低壓高流大功率變壓器+測溫裝置，組成閉環控制系統，溫度儀表采用程序儀表帶PID自動調節功能，帶自整定自我調整能力。穩定可靠，控制精度高。控制系統采用PLC+觸摸屏的方式，溫度、真空、位移數據可記錄可查詢，曲線可現實，數據可保存可導出，溫度程序數據可編譯可保存可調用。控制系統集中安放在爐架的一側箱體內，整結大方，維修方便，所有器件均采用施耐德，西門子等品牌，保證使用安全。控制箱柜上都有安全警示貼，安裝接線標準化制作。

7、水冷分配系統：由主管道、分管路、水閥、壓力報警等相關裝置組成，具有斷水聲光報警及自動切斷電源等功能。

8、變壓器及聯接電纜：采用與之相匹配的變壓器及聯接電纜

五·設備配置

1·高真空室                  1臺

2·發熱體                    1套

3·抽真空系統                1套

4·真空測量裝置              1套

5·控制系統（plc+觸摸屏）    1套

6·坩堝及保溫套              1套                    

7·惰性氣體充放氣裝置        1套

8·設備操作說明書            1套

9·設備質保書                1套