細胞損傷控制儀 (CIC II) 是一種電子控制的氣動裝置，可用于研究組織培養細胞對創傷的形態、生理和生化反應。公司，希爾斯伯勒，NC。組織培養物在具有可拉伸 Silastic® 膜底部的培養孔中生長。細胞損傷控制器調節壓縮氣體的流量以快速加壓單個培養孔，從而對培養物造成徑向拉伸損傷。通過控制進出密封培養井的氣體流量來確定損傷的嚴重程度。捕獲峰值壓力，提供徑向拉伸的準確指標。 CIC II 接受 Flex I® 29.45cm2 培養盤（與早期的 CIC 94A 型一起使用）和 BioFlex® 57.75cm2 培養盤。根據細胞類型、損傷程度和培養條件，受損細胞可能會死亡或修復。因此，該系統可用于研究對創傷的反應，包括細胞損傷、修復、死亡或藥物干預。

細胞損傷控制儀 (CIC II) 采取電子式控制，采取電子式控制，適合腦源性細胞培養樣品，或其它離體培養細胞的牽張性損傷模型制作。損傷后可進行神經生化、形態學、生理學，藥物干預等方面的研究。 
細胞損傷控制儀使用Flexcell公司的Tissue Train ? 三維細胞組織應力加載系統。 

創傷性腦損傷是神經外科常見的疾病，是導致創傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經生化、jingshen病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創傷特點的創傷性腦損傷模型，是目前創傷性腦損傷的研究熱點。 

VCU動物顱腦損傷儀可以分為:
液壓顱腦損傷儀(FPI),

電子顱腦損傷儀(eCCI)

細胞顱腦損傷儀(CIC)

這三種產品己廣泛應用于范圍內的顱腦創傷研究中心，是目前的顱腦創傷模型制作的。同時,損傷儀還可應用到眼科損傷模型，細胞損傷儀可以應用到其它種類細胞損傷模型的制作。