美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創建一個更貼近自然地環境，以模擬健康和疾病狀態的大腦功能。 這項新技術將推動創傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

允許在整個拉伸過程中對細胞進行光學成像，以驗證組織應變并檢測組織中的形態變化。

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應變場
★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
★高達50％的應變
★應變速率高達80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復性

-細胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數據采集記錄

然而，培養皿中的細胞不像人類細胞和通過試驗的候選藥物，臨床前階段在人類臨床試驗中經常失敗。

Bmessd通過模擬人體細胞的軟機械和電環境，使培養皿中的細胞表現的更像人類細胞，從而解決了上述所說的問題，增加了臨床前研究的價值，將臨床應用結果提前，使人體臨床試驗中的失敗率降低，節省了大量的時間、金錢以及受試動物的生命數量。