美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。

傳統到的商業微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創建一個更貼近自然地環境，以模擬健康和疾病狀態的大腦功能。 這項新技術將推動創傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關癡呆癥、慢性創傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

電生理模塊：細胞電刺激、 電生理活動記錄、 電阻抗測量

細胞力－電耦合靈活：

★拉伸前中后進行電刺激以及電生理活動記錄分析

★拉伸前后電生理活動的比較（標準化）

★拉伸前中后阻抗定量測量：可選頻率、時間、電壓，實時圖形化測量，方便的cvs測量結果導出

★成本低

電生理活動-力學細胞模型

該細胞或組織可拉伸微電極陣列刺激、電生理活動記錄、高分辨率成像系統*之處在于它結合了細胞或組織培養的三種相互作用模式機械、光學和電學， 使研究人員能夠可重復且可靠地研究生理和病理機械拉伸對生物組織電生理的影響。

該系統集成：

(1)細胞拉伸模塊（可獨立使用）

(2)電生理數據采集模塊（可獨立使用）

(3)高分辨率成像模塊（可獨立使用）