美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類(lèi)器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類(lèi)器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程。
大腦類(lèi)器官使用人體細(xì)胞來(lái)復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類(lèi)器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類(lèi)器官表面積的一小部分，而B(niǎo)M的 3D 微電極陣列大限度地與類(lèi)器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào)。

 3D 微電極陣列為球形類(lèi)器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

電生理模塊：細(xì)胞電刺激、電生理活動(dòng)記錄、阻抗測(cè)量

統(tǒng)擁有完整的環(huán)境控制功能，能夠長(zhǎng)期、實(shí)時(shí)、非侵襲性地開(kāi)展電生理實(shí)驗(yàn)工作，能夠便捷、高通量地測(cè)量活細(xì)胞的電網(wǎng)絡(luò)行為，探索生命的電路圖。

★細(xì)胞力-電耦合靈活：

拉伸前中后進(jìn)行電刺激以及電生理活動(dòng)記錄分析

★拉伸前后電生理活動(dòng)的比較（標(biāo)準(zhǔn)化）

★拉伸前中后阻抗定量測(cè)量：

可選頻率、時(shí)間、電壓，實(shí)時(shí)圖形化測(cè)量，方便的cvs測(cè)量結(jié)果導(dǎo)出

★記錄電生理活動(dòng)（有或無(wú)應(yīng)力刺激）

★60個(gè)頻道的刺激和電生理活動(dòng)記錄（可以升級(jí)到120個(gè)頻道）

★成本低