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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>其它半導體行業儀器設備>其它半導體設備> 代換BSC150N03SGT半導體-蘇州華鎂

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代換BSC150N03SGT半導體-蘇州華鎂

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具體成交價以合同協議為準

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華鎂公司為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務,已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護和控制驅動芯片),產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。

華鎂整個團隊秉持著成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作理念,并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個,期許華鎂產品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產品的開發盡一份努力

華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區(302 新竹縣竹北市),國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市,國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場效應管

產地類別 國產 應用領域 醫療衛生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣
通道類型 N VX 15-35-70-46-070

代換BSC150N03SGT工藝封裝
BSC150N03PGA封裝樣式
BSC150N03其芯片基板多數為陶瓷材質,也有部分采用特制的塑料樹脂來做基板,在工藝上,引腳中心距通常為2.54mm,引腳數從64到447不等。
BSC150N03這種封裝的特點是,封裝面積(體積)越小,能夠承受的功耗(性能)就越低,反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見,且多用于CPU等大功耗產品的封裝,如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式;不大為MOS管廠家所采納。

代換BSC150N03常見問題
1、BSC150N03mos管小電流發熱的原因:
  1)電路設計的問題:就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態,這也是導致MOS管發熱的一個原因。
如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能*導通,P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
  2)頻率太高:主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。
  3)沒有做好足夠的散熱設計:電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
  4)BSC150N03MOS管的選型有誤:對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。

2、BSC150N03mos管小電流發熱嚴重怎么解決:
做好MOS管的散熱設計,添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。

3、BSC150N03MOS管為什么可以防止電源反接?
電源反接,會給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避免的。所以,我們就需要給電路中加入保護電路,達到即使接反電源,也不會損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場合,本來電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得電池使用時間大減。
MOS管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計。現在的MOS管可以做到幾個毫歐的內阻,假設是6.5毫歐,通過的電流為1A(這個電流已經很大了),在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜,所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因
BSC150N03MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現象,放電過程中MOS管沒有*打開,處于關閉或半打開狀態,PCBA內阻變大,長時間大電流放電,發熱燒壞、燒糊。
生產組裝過程有靜電殘留,或在充放電過程中有外部異常電流/大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。
保護板MOS管燒壞處理方法:建議在焊接串線過程時先焊B4-線(因為靠近B2串的R19短路的風險大)然后在焊接B2串,這樣可以規避B2和B4短路引起的不良。
BSC150N03MOS管燒壞防護措施:生產過程各環節做好ESD防護工作,焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路,建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值,否則在實際應用中,電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續大電流造成熱擊穿
長時間的大電流,例如D8540NX一直以33A持續過電流,芯片的內核會逐漸升溫到170度以上,芯片的內核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓
尤其是配合電機使用時,當電機突然停止時,會產生瞬時的反向電壓,如果續流二極管不夠大,則可能會損傷MOS。

8、BSC150N03瞬間短路電流
當短路瞬間電流超過了MOS的IDM,如果持續時間超過前述表9的邊界范圍,則有可能導致MOS瞬間擊穿。

9、BSC150N03ESD影響
冬天尤其要注意,ESD高發時,Ciss電容越小,越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關損耗過大
高頻開關,尤其是調速或無刷應用時,MOS處于高頻開關狀態,如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好,導致開關損耗過大,也同樣容易使MOS升溫導致損壞。

11、BSC150N03GS驅動電壓不匹配
對于高開啟的MOS,卻使用5V,甚至3.3V的電源來驅動,或者驅動電阻分壓不當,例如滿電時GS分壓為10V,但接近空電時只有5V左右的電壓,導致MOS開啟不*,內阻成倍增加,通過電流時會快速產生熱量導致MOS燒壞。

12、BSC150N03MOS 損壞主要原因:

過流 ---------- 持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;

靜電 ---------- 靜電擊穿,CMOS 電路都怕靜電;




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