替代AON6560應用電動工具MOS管工藝
AON6560溝槽式柵極 MOSFET 是將 VD MOSFT 中的“T”導電通路縮短為兩條平行的垂直型導電通路，從而降低通態電阻。U 型溝槽為平面型演變，切開翻轉 90 度，柵結構不與螺片表面平行而是構建在溝道之中垂直于表面，因此占用空間較少且使電流流動真正垂直，最小化基本單元面積，在相同的站位空間中可以集成更多的單元從而降低 Rdson，并維持電容不變。Trench MOSFET 制作工藝是采用 RIE挖深槽，再用多晶硅填充柵極。
AON6560同時，新工藝和新的Trench結構也不斷使得Trench MOS的性能越來越優秀。比如，韓國的Jongdae Kim等人提出了一個利用氫退火的自對準工藝，這個工藝只需要3塊光刻版就可以制作出一個可靠性很強的Trench結構［8].日本的Toyota公司提出了一種應用于汽車電子FITMOS結構，性能要比傳統的Trench MOS好50%以上［9].在2003年，韓國的ETRI組織提出的兩種新的Trench結構可以將單胞尺寸做到1.6um,在擊穿電壓為43V時，開態特性電阻為0.28mΩ.c㎡[10].隨著Trench MOS結構和工藝的越來越成熟，人們不再把Trench MOS局限在低壓的范圍內。隨著把“super Junction”和“multi RESURF”技術的引入，100V的Trench MOSFET已經日趨成熟，250V、300V的Trench MOSFET也開始有了報道。目前國外很多公司已經涉足該領域。如美國國際整流器IR(InternationalRectifier)公司應用于汽車領域的基于Trench MOSFET的產品，耐壓包括40V、55V、75V、100V.美國仙童半導體（Fairchild Semiconductor)的Trench MOSFET產品FDB045AN08A0,耐75V,RpsON可以做到3.9mΩ.c㎡(VGs=10V);2003年4月推出的FDB3632/FDP3632/FD13632,耐壓達到100V,RDSON做到7.5mΩ.c㎡（Vos=10V)。

替代AON6560常見問題
AON6560本二級管故障：不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數，因此很難區分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結合自身電路來分析。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發、營銷業務及營運團隊。提供性能優異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續學習、進取創新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發經驗及50余個。
華鎂研發總部設在中國臺灣新竹科學工業園區（302 新竹縣竹北市），國內研發和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON6560應用電動工具MOS管封裝
AON6560有些電子系統受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產品；也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。

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